Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0209U002144, 0106U006877 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка принципів створення нанокристалічних матеріалів і вивчення спінових явищ в напівпровідникових наноструктурах для нового покоління пристроїв оптонаноелектроніки та спінтроніки Назва етапу роботи Керівник роботи Валах Михайло Якович, Дата реєстрації 21-01-2009 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Встановлено, що наявність вертикальної кореляції самоіндукованих GeSi наноострівців в багатошарових структурах приводить до зменшення пружної деформації в острівцях. Це обумовлено тим, що острівці у верхніх шарах надґратки формуються на ділянках кремнію зі збільшеною сталої ґратки в порівнянні з об'ємним Si. Встановлено, що для надґраток із GeSi квантовими точками, сформованими в діапазоні температур 300-500 С, мінімальна енергія квантів, при якій спостерігається фотопровідність, менша за ширину забороненої зони квантових точок (КТ), що пояснюється непрямими переходами дірок з валентної зони GeSi КТ у валентну зону кремнієвої матриці. Для структур SiO2 з Ge КТ, сформованих імплантацією та наступними відпалами, встановлено природу смуг випромінювання на різних етапах відпалу та за допомогою ЕПР спектроскопії ідентифіковано парамагнітні центри. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити