Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0209U002149, 0107U007150 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження принципів генерації міліметрового та субміліметрового випромінювання у нанорозмірних гетероструктурних n+-n-n+ та n+-і-n+ діодах, виготовлених на основі новітніх широкозонних матеріалів Назва етапу роботи Керівник роботи Коротєєв Вадим Вячеславович, Дата реєстрації 21-01-2009 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Об'єкт дослідження - балістичні n+-n-n+ та n+-i-n+ діоди на основі напівпровідникових сполук AIIIBV. Мета роботи - дослідження умов виникнення нестійкості електронного газу при балістичному транспорті в терагерцовій області частот. Метод дослідження - методи математичної та теоретичної фізики: теорія рівнянь в частинних похідних, теорія кінетичних явищ, чисельне моделювання. Розроблений теоретичний опис сильнопольового та високочастотного електронного транспорту в балістичних діодах типу n+-i-n+ та n+-i-n+. Проведені дослідження механізмів виникнення прольотної нестійкості електронної підсистеми, що характеризується появою інтервалів частот з від'ємним активним опором діода. Проаналізовано залежність амплітуди від'ємного активного опору від інжекційних та високочастотних властивостей контактів в терагерцовому діапазоні частот. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити