Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0209U002167, 0108U006481 , Науково-дослідна робота Назва роботи НДР Розробка фізико-технологічних основ виготовлення та тестування НВЧ діодів міліметрового діапазону на базі n+-n-n+ епітаксійних гетероструктур III-нітридів Назва етапу роботи Керівник роботи Болтовець Микола Силович, Дата реєстрації 21-01-2009 Організація виконавець Державне підприємство Науково-дослідний інститут "Оріон" Опис етапу Проведено математичне моделювання НВЧ характеристик еквівалентних схем діода n+-n-n+ типу в електромагнітній системі з метою визначення вимог до елементів конструкції НВЧ діодів. Були виготовлені макетні зразки меза-структур n+-n-n+ типу на основі GaN на сапфірі з товщиною базового n- шару 1,5 мкм. Технологічна схема мікроскладальних операцій реалізована з використанням безфлюсових високотемпературних зварювальних операцій. Проведено експериментальні дослідження НВЧ характеристик корпусованих n+-n-n+ діодів в імпульсному режимі роботі в діапазоні струмів до 5 А і напруг до 50 В при тривалості імпульсу 30 нсек. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити