Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0209U005265, 0105U007636 , Науково-дослідна робота Назва роботи Формування нових властивостей напівпровідникових матеріалів і структур: кластероутворення і інтеркаляція в шарах і плівках Назва етапу роботи Керівник роботи Ільчук Григорій Архипович, Дата реєстрації 28-01-2009 Організація виконавець Національний університет "Львівська політехніка" Опис етапу Проведено комплексні дослідження в новітніх напрямках у напівпровідниковому матеріалознавстві, створено нові матеріали (плівки, шари, монокристали), реалізовано на їх основі приладні структури та досліджено фізичні явища в них. В напрямку розвитку елементів технології створення сонячних комірок на плівковій основі розвинуто фізико-хімічні основи лабораторної технології електрохімічного співосадження Cd і Te та одержано плівки Cd+Te (d=0,1-4 мкм) високої ступені однорідності, які при відпалі зазнають переструктурування з утворенням кубічної модифікації CdTe. Розроблено метод хімічного поверхневого осадження (ХПО) та одержано тонкі плівки CdSхім (d=30-100нм). Створено ХПО модельну гетероструктуру CdSхім./CdTe. Методом ХТР з використанням переносника NH4I вперше вирощені монокристали шаруватого GaSe та проведено їх комплексне дослідження. Створено новий матеріал - полімерні шари з вбудованими кластерами (d=23-30 нм) напівпровідника CdS та виявлено утворення у цьому полімері фундаментального краю поглинання 2,43 - 2,52 еВ. Термообробкою кристалів n-InSe у повітряному середовищі створені на його поверхні оксидні (Ox) плівки та одержані і досліджені у природному і лінійно-поляризованому випромінюваннях фоточутливі гетеропереходи n-Ox/n-InSe. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити