Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0209U005551, 0107U000738 , Науково-дослідна робота Назва роботи Вплив дефектів радіаційного походження на параметри фотоактивних центрів і бінарних халькогенідних напівпровідниках Назва етапу роботи Керівник роботи Давидюк Георгій Євлампійович, Дата реєстрації 20-02-2009 Організація виконавець Волинський національний університет імені Лесі Українки Опис етапу Розроблено рекомендації щодо параметрів вихідних кристалів сульфіду кадмію, найбільш стійких до електронної, нейтронної радіації і рентгенівського опромінення. Встановлені механізми підпорогового дефектоутворення в монокристалах CdS і CdS:Cu при опроміненні квантами лазерних і рентгенівських променів. Пропонується фізична модель квазіхімічних реакцій між первинними радіаційними дефектами і атомами легуючої домішки Cu. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити