Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0209U006317, 0106U001566 , Науково-дослідна робота Назва роботи Резонансно-тунельні та лавинні явища в приладах з міждолинним переносом електронів мм-діапазону на основі напівпровідників А3В5 ( GaAs, GaN, InN, AlN) Назва етапу роботи Керівник роботи Прохоров Едуард Дмитрович, Дата реєстрації 04-02-2009 Організація виконавець Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна Опис етапу Звіт про НДР: 127 стор., 68 рис., 8 табл, 86 джерел. Об'єкт дослідження - квантово-розмірні структури на основі нітридів (GaN,ІnN,AlN), структури з міждолинним переносом електронів (МПЭ) і ударною іонізацією, широсмугові GaAs генератори і шумові GaAs-діоди та генератори см- і мм-діапазонів. Ціль роботи - дослідження резонансного тунелювання в резонансно-тунельних діодах на основі нітридів (GaN,ІnN,AlN), резонансно- тунельних і лавинних ефектів у напівпровідниках A3B5 (GaAs,GaN,ІnN,AlN) для створення нових напівпровідникових приладів, у яких зазначені вище ефекти можуть привести до підвищення ефективності генерації, розширення частотних можливостей генераторів на основі РТД, приладів із МПЕ і підвищення рівня шумів генераторів шуму в порівнянні з відомими активними елементами (діоди Ганна і ЛПД), що працюють у мм - діапазоні. Метод дослідження - математичне моделювання фізичних процесів у напівпровідникових структурах із МПЕ і ударною іонізацією, квантоворозмірних структурах на основі нітридів та експериментальне дослідження шумових діодів на основі GaAs з вузьким шаром напівізолятора в прикатодній області. Актуальність досліджень обумовлена необхідністю створення нових напівпровідникових приладів для освоєння короткохвильової частини мм- і субмм-діапазонів. Новизна роботи - фундаментальні дослідження зі створення нових твердотілих активних елементів для генерації НВЧ-потужності і шумової потужності в мм- і субмм-діапазонах на основі арсеніду галію та нітридів проведені вперше. Результати роботи й рекомендації будуть впроваджені у виробництво нових твердотілих приладів мікро-, нано- та оптоелектроніки. Прогнозні припущення щодо розвитку об'єкта дослідження - пошук нових твердотілих активних елементів на основі МПЕ, резонансного тунелювання, лавинних ефектів для генерації й посилення електромагнітних коливань мм- і субмм-діапазонах . Основні фундаментальні результати: 1. Резонансно-тунельний катод поліпшує енергетичні й частотні характеристики діодів із МПЕ на основі арсеніду галію. 2. Досліджені резонансно-тунельні діоди (РТД) на основі нітридів Al/AlxGa1-x, Ga/ІnxGa1-x мають ефективність генерації на ділянках з ОДП 10...30% на частотах до 1 ТГц. 3.Визначено ширину вольтамперних характеристик діодів із МПЕ на основі нітридів 4..Досліджений вплив ударної іонізації та форми напруги на діоді із МПЕ на генерацію гармонік і помноження частоти. Ударна іонізація звужує робочий діапазон напруг на діоді. Складна форма напруги на діоді підвищує коефіцієнт корисної дії (КПД) на 15...20% на основній гармоніці.Ударна іонізація збільшує КПЧ до 35...40% у режимі генерації гармонік 5. Показано можливість створення катодного статичного домена з напруженістю електричного поля, достатньою для ударної іонізації, і створення на його основі шумових діодів мм-діапазону зі спектральною щільністю потужності шуму 104...105 кТ0 Ключові слова: квантово-розмірна структура, резонансно-тунельний діод, діод Ганна, частотний діапазон, генератор, ударна іонізація, шумовий діод. Умови одержання звіту: за договором. 61077, Україна, м. Харків,майдан Свободи, 4, Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити