Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0209U006913, 0104U010541 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розвиток методу молекулярно-променевої епітаксії та опрацювання технології отримання нанорозмірних шарів та наноструктур SiGe Назва етапу роботи Керівник роботи Валах Михайло Якович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 16-07-2009 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Розроблено рекомендації по вирощуванню SiGe наноструктур з щільністю острівців на рівні 10^9-10^10 см^-2 та високою уніфікацією їх по розмірам та формі. Виготовлено партію (10 шт.) дослідних зразків буферних шарів SiGe на структурах кремній-на-ізоляторі та проведено їх характеризацію. Опис продукції Дослідні зразки буферних шарів SiGe на структурах кремній-на-ізоляторі. Автори роботи Лисенко Володимир Сергійович Юхимчук Володимир Олександрович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити