Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0209U008214, 0107U005658 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження та розроблення шляхів створення елементів надвисокочастотних інтегральних схем міліметрового та терагерцового діапазонів на основі мікро- і нанокристалічних шарів синтетичного алмазу завтовшки 20-100 мікрометрів Назва етапу роботи Керівник роботи Болтовець Микола Силович, Дата реєстрації 30-01-2009 Організація виконавець Державне підприємство Науково-дослідний інститут "Оріон" Опис етапу Розроблені науково-технічні рішення і технологічні процеси, необхідниі для створення елементів НВЧ гібридних інтегральних схем міліметрового і терагерцевого діапазонів на основі мікро- та нанокристалічних шарів синтетичного алмазу товщиною 20?100 мкм, з застосуванням кремнієвих перетворюючих лавинопролітних діодів (ЛПД). Виготовлено експериментальний зразок генераторно-перетворювального модуля на алмазних підкладинках та проведено його дослідження. Дослідження показали, що в діапазоні частот 90-100 ГГц втрати пропускання в лініях передач НВЧ інтегральних схем не перевищують 2 дБ/см, питомий опір підкладинки з синтетичного алмазу при +25°С становить не менше 3?1013 Ом?см. Вихідна потужність склала 70 мкВт на частоті 94 ГГц. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Дослідження та розроблення шляхів створення елементів надвисокочастотних інтегральних схем міліметрового та терагерцового діапазонів на основі мікро- і нанокристалічних шарів синтетичного алмазу завтовшки 20-100 мікрометрів
Керівник: Болтовець Микола Силович. Дослідження та розроблення шляхів створення елементів надвисокочастотних інтегральних схем міліметрового та терагерцового діапазонів на основі мікро- і нанокристалічних шарів синтетичного алмазу завтовшки 20-100 мікрометрів. (Етап: ). Державне підприємство Науково-дослідний інститут "Оріон". № 0209U008214
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-19


Роздрукувати цю сторінку