Search academic texts

Information × Registration Number 0209U008666, 0109U004150 , R & D reports Title Development and production silicon sectional detectors popup.stage_title Head Litovchenko Piotr Grigorievich, Registration Date 26-11-2009 Organization Institute For Nuclear Research Of National Academy Of Sciences Of Ukraine popup.description2 The results of investigations the characteristics of developing sectional silicon detectors on the base of high diameter samples have been shoved that the voltage of full depletion of sensitive volume is 200 V at electric field 10e4 V/cm, which allow to obtain high energy resolution of detectors at spectrometry fission fragments of weighty atomic nuclei. On the base of high resistivity silicon of n-type on optimum technology 9-section surface-barrier detectors were developed and produced with depth of sensitive region W< 0,350 mm, section surface S<400 mm e2 and with quick time component. Product Description popup.authors Барабаш Людмила Іванівна Бердниченко Світлана Василівна Бондар Микола Микитович Варенцов Михайло Дмитрович Варніна Валентина Іванівна Воробйов Володимир Герасимович Гайдар Галина Петрівна Гроза Алла Аркадіївна Долголенко Олександр Петрович Дубовий Володимир Костянтинович Кібкало Тетяна Іванівна Кочкін Василь Іванович Ластовецький Володимир Францевич Полівцев Леонід Андрійович Старчик Маргарита Іванівна popup.nrat_date 2020-04-02 Close