Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0209U008684, 0107U010357 , Науково-дослідна робота Назва роботи Перенесення заряду та резістивна спектроскопія в шаруватих структурах на основі манганітів та анізотропних металічних систем. Назва етапу роботи Керівник роботи Свистунов Володимир Михайлович, Дата реєстрації 30-11-2009 Організація виконавець Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут" Опис етапу Досліджено тунельне струмоперенесення в шаруватих гетероструктурах, утворених металевою голкою і об'ємними зразками манганітів LSMO, LСMO, NSMO. Виконані дослідження спектрів збуджень бозе-типу в нанорозмірній області інтерфейсу метал - легований манганіт. Проведено спостереження передбачуваних хвиль орбітальної деформації в орбітально-впорядкованих електронних підсистемах манганітів за допомогою ефекту електронного тунелювання. Запропоновано й досліджено новий спосіб отримання точкових контактів малого розміру шляхом скручування (звивання) електродів з металевих дротів. Експериментально вивчена нелінійна частина опору контактів з ртуті, а також контактів ртуть/нормальний метал для ртуті як у нормальному, так і в надпровідному стані.Теоретично досліджено кондактанс точкового тунельного контакту між нормальним металом та надпровідником та аналізували ефект квантової інтерференції, до якої призводить розсіяння квазічастинок на точкових дефектах. Проаналізовано вплив геометрії поверхні Фермі на осциляції кондактансу. Досліджені температурні залежності поперечного електроопору монокристалів НоВа2Сu3О7-? з різним вмістом кисню. Проведено дослідження кристалічної та молекулярної структури АРС (N-Me-2,6-Di-Me-Py)(TCNQ)2. Опис продукції Виконані дослідження спектрів збуджень бозе-типу в нанорозмірній області інтерфейсу метал - легований манганіт. Проведено спостереження передбачуваних хвиль орбітальної деформації в орбітально-впорядкованих електронних підсистемах манганітів за допомогою ефекту електронного тунелювання. При низьких температурах створені чисті стабільні контакти з відтворюваними електричними характеристиками. Спостережено можливість досягнути балістичного характеру руху носіїв заряду в контакті. Підраховано температуру Дебая. Було отримано аналітичний вираз для кондактансу, який залежить від положення дефекту відносно контакту та від прикладеної до контакту напруги. Розвинутий алгоритм підрахунку може бути використаний для будь якої поверхні Фермі, що параметрично задана. Дослідження температурних залежностей поперечного електроопору монокристалів НоВа2Сu3О7-? з різним вмістом кисню. Електросинтезом в гальваностатичному режимі одержано монокристали катіон-радикальних солей (КРС). Автори роботи Колесніченко Юрій Олексійович Леонова Вікторія Миколаївна Морлок Сергій Васильович Оболенський Михайло Олександрович Стародуб Володимир Олександрович Хоткевич Андрій Володимирович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити