Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0209U010190, 0108U009041 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження фізичних властивостей напівмагнітних напівпровідників А21-ХМХВ6 та явищ перенесення в структурах на їх основі Назва етапу роботи Керівник роботи Паранчич Степан Юрійович, Дата реєстрації 24-09-2009 Організація виконавець Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича Опис етапу Досліджені фізичні властивості СrxHg1-x-Sе (х=0,03; 0,05) і зроблено порівняльний аналіз розподілу феромагнітних включень по кристалу. Показано, що при застосуванні методу твердотільної рекристалізації для вирощування СrxHg1-x-Sе, по всій довжині злитку присутні феромагнітні кластери HgCr2Se4 прямокутної форми. При наближення до кінця злитку добавляються кластери CrSe неправильної форми. Встановлено наявність магнітного упорядкування в даних кристалах. Показано, що в потрійних і четверних твердих розчинах типу CrxHg1-xSe, CdxHg1-x-yCrySe, можна організовувати включення іншої природи по відношенню до основної матриці в залежності від складу, а в процесі розкладання твердого розчину CdxHg1-x-yCrySe відбувається виділення легких елементів у складі включень іншої фази. Найбільш перспективними є ділянки біля центру кристалу, які містять паралельні системи включень у вигляді "смуг" з однорідним вмістом магнітної фази Cr=52.7%. Такі пластини кристалів можуть бути використані в елементах спінтроніки. Вперше вирощені монокристали CrxHg1-xTe (х=0,006; 0,03), та проведені експериментальні дослідження електричних характеристик, магнітної сприйнятливості і спектрів електронного парамагнітного резонансу (ЕПР) в температурному інтервалі 77-400 К і магнітних полях 0-12 кЕ. Показано, що хром може бути як в стані Cr2+ так і Cr3+, в залежності від розташування зразка в кристалі. Температурна залежність магнітної сприйнятливості є свідченням складної магнітної взаємодії в кристалах CrxHg1-xTe. Зломи на залежностях -1(Т) вказують на присутність феро- і антиферомагнітної взаємодії. Проведено термічний відпал зразків CdxHg1-х-уСrySe і показано, довготривала (400 700 годин) термічна обробка зразків CdxHg1-х-уСrySe в парах Hg, Se і вакуумі призводить до зміни фізичних властивостей і значно покращує їх оптичну якість. Вперше, методами лазерного і ВЧ іонно-плазмового напилення, одержані структури CdxHg1-x-yCrySe /MnxHg1-xTe, Cd1-xMnxTe/ Hg3In2Te6 та проведені електронно мікроскопічні дослідження границь переходу і ВАХ структур, які показали, що: а) структури CdxHg1-x-yCrySe/MnxHg1-xTe володіють випрямляючими властивостями, а на прямій вітці ВАХ спостерігається ділянка з від'ємною диференціальною провідністю, що може бути використано для створення НВЧ приладів; б) структури Cd1-xMnxTe/Hg3In2Te6 володіють випрямляючими властивостями і є чутливими до магнітного поля. Опис продукції Отримані експериментальні зразки кристалів напівмагнітних напівпровідників CrxHg1-xТe CrxHg1-xSe, CdxHg1-x-yCrySe, Cd1-xMnxTe, MnxHg1-xTe з різною концентрацією магнітних домішок методами Бріджмена та твердотільної рекристалізації, підібрані технологічні режими росту, досліджені їх фізичні властивості. Створені структури (CdxHg1-x-yCrySe/MnxHg1-xTe, Cd1-xMnxTe/Hg3In2Te6, Cd0,2Hg0,8Te - Cr0,03Hg0,97Te) напівмагнітний напівпровідник - немагнітний напівпровідник методами ВЧ іонно-плазмового та лазерного напилення, досліджені ВАХ створених структур і показано, що вони володіють випрямляючими властивостями і чутливі до магнітного поля. Автори роботи Андрійчук Мирослав Дмитрович Білинський-Слотило Володимир Романович Макогоненко Володимир Микитович Паранчич Лідія Дмитрівна Паранчич Степан Юрійович Романюк Оксана Степанівна Савчук Андрій Йосипович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити