Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0209U010286, 0108U008831 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка та впровадження високоефективної технології видалення фоторезиста з напівпровідникових та діелектричних поверхонь. Назва етапу роботи Керівник роботи Вірченко Петро Тарасович, Дата реєстрації 02-11-2009 Організація виконавець Міжгалузевий Центр трансферу та впровадження технологій "Ерідан" державної науково-виробничої корпорації "Київський інститут автоматики" Опис етапу В цій ДКР розроблено технологію, яка має комплементарну природу та є трьохстадійною, за якістю видалення фоторезисту перевищує сучасні світові досягнення . На першій стадії відбувається первинне очищення поверхонь напівпровідникових і діелектричних шарів від відпрацьованого фоторезисту шляхом їх обробки в низькотемпературній високочастотній плазмі в газовому середовищі., кисню та тетрафторметану. На другій стадії реалізується скруббірування поверхонь шарів в водному розчині поверхнево-активної речовини ( ПАР ) На третій стадії відбувається видалення залишкової плівки ПАР разом з адсорбованими нею, але не видаленими на попередніх стадіях очищення, залишками фоторезисту в киснево-аргоновій плазмі. Розроблена технологія гарантує видалення відпрацьованого фоторезисту з технологічних шарів після будь-яких екстремальних впливів на нього. Опис продукції В цій ДКР розроблено технологію, яка має комплементарну природу та є трьохстадійною, за якістю видалення фоторезисту перевищує сучасні світові досягнення . На першій стадії відбувається первинне очищення поверхонь напівпровідникових і діелектричних шарів від відпрацьованого фоторезисту шляхом їх обробки в низькотемпературній високочастотній плазмі в газовому середовищі., кисню тетрафторметану. На другій стадії реалізується скруббірування поверхонь шарів в водному розчині поверхнево-активної речовини ( ПАР ) На третій стадії відбувається видалення залишкової плівки ПАР разом з адсорбованими нею, але не видаленими на попередніх стадіях очищення, залишками фоторезисту в киснево-аргоновій плазмі. Розроблена технологія гарантує видалення відпрацьованого фоторезисту з технологічних шарів після будь-яких екстремальних впливів на нього. Автори роботи Бездєтко М.Д. Вірченко Є.П. Вірченко П.Т. Ковальчук В.В. Полтавцева І.С. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Розробка та впровадження високоефективної технології видалення фоторезиста з напівпровідникових та діелектричних поверхонь.
Керівник: Вірченко Петро Тарасович. Розробка та впровадження високоефективної технології видалення фоторезиста з напівпровідникових та діелектричних поверхонь.. (Етап: ). Міжгалузевий Центр трансферу та впровадження технологій "Ерідан" державної науково-виробничої корпорації "Київський інститут автоматики". № 0209U010286
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-14


Роздрукувати цю сторінку