Реєстраційний номер
0209U010286,
0108U008831
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Розробка та впровадження високоефективної технології видалення фоторезиста з напівпровідникових та діелектричних поверхонь.
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Вірченко Петро Тарасович,
Дата реєстрації
02-11-2009
Організація виконавець
Міжгалузевий Центр трансферу та впровадження технологій "Ерідан" державної науково-виробничої корпорації "Київський інститут автоматики"
Опис етапу
В цій ДКР розроблено технологію, яка має комплементарну природу та є трьохстадійною, за якістю видалення фоторезисту перевищує сучасні світові досягнення . На першій стадії відбувається первинне очищення поверхонь напівпровідникових і діелектричних шарів від відпрацьованого фоторезисту шляхом їх обробки в низькотемпературній високочастотній плазмі в газовому середовищі., кисню та тетрафторметану. На другій стадії реалізується скруббірування поверхонь шарів в водному розчині поверхнево-активної речовини ( ПАР ) На третій стадії відбувається видалення залишкової плівки ПАР разом з адсорбованими нею, але не видаленими на попередніх стадіях очищення, залишками фоторезисту в киснево-аргоновій плазмі. Розроблена технологія гарантує видалення відпрацьованого фоторезисту з технологічних шарів після будь-яких екстремальних впливів на нього.
Опис продукції
В цій ДКР розроблено технологію, яка має комплементарну природу та є трьохстадійною, за якістю видалення фоторезисту перевищує сучасні світові досягнення . На першій стадії відбувається первинне очищення поверхонь напівпровідникових і діелектричних шарів від відпрацьованого фоторезисту шляхом їх обробки в низькотемпературній високочастотній плазмі в газовому середовищі., кисню тетрафторметану. На другій стадії реалізується скруббірування поверхонь шарів в водному розчині поверхнево-активної речовини ( ПАР ) На третій стадії відбувається видалення залишкової плівки ПАР разом з адсорбованими нею, але не видаленими на попередніх стадіях очищення, залишками фоторезисту в киснево-аргоновій плазмі. Розроблена технологія гарантує видалення відпрацьованого фоторезисту з технологічних шарів після будь-яких екстремальних впливів на нього.
Автори роботи
Бездєтко М.Д.
Вірченко Є.П.
Вірченко П.Т.
Ковальчук В.В.
Полтавцева І.С.
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
