Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0209U010324, 0107U007757 , Науково-дослідна робота Назва роботи "Розроблення фізико-технологічних основ виробництва потужних швидкодіючих високовольтних 4НSiC pin діодів" Назва етапу роботи Керівник роботи Болтовець Микола Силович, Дата реєстрації 16-11-2009 Організація виконавець Державне підприємство Науково-дослідний інститут "Оріон" Опис етапу За результатами виконання роботи розроблені наукові та конструкторсько-технологічні рішення для створення базових технологій виробництва потужних швидкодіючих високовольтних НВЧ 4НSiC pin діодів, призначених для використання в діапазоні частот до 40 ГГц. Розроблена конструкція 4НSiC pin діода у вигляді р+-і-n+ мезаструктури, яка розрахована на можливість використання в напівпровідниковому приладобудуванні, зокрема в гібридних інтегральних схемах. Проведено конструкторсько-технологічне моделювання безкорпусних 4НSiC ріn діодів з товщиною високоомної області 6?8 мкм. Розроблено ескізну конструкторську та маршрутну технологічну документацію на виготовлення безкорпусних 4НSiC pin діодів з пробивною напругою до 1000 В. Виготовлено експериментальні зразки швидкодіючих високовольтних 4НSiC pin діодів та проведено дослідження їх характеристик. Проведено комплексні дослідження параметрів 4НSiC pin діодів в інтервалі температур до 500°С. На основі результатів досліджень визначено 2 типономінали діодів за величиною блокуючої напруги, ємності та часу перемикання. Опис продукції Розроблені наукові та конструкторсько-технологічні рішення для створення базових технологій виробництва потужних швидкодіючих високовольтних НВЧ 4НSiC pin діодів, призначених для використання в діапазоні частот до 40 ГГц. Автори роботи В.І. Миколаєнко В.А. Кривуца В.В. Басанець К.О. Личман Л.В. Журавель М.С. Болтовець Н.А. Казюка Н.Я. Урицька О.С. Слєпова Т.В. Коростинська Т.М. Лєдєньова Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити