Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0209U010695, 0108U003868 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення нового комплексного підходу до наноструктурної характеризації напівпровідникових склоподібних матеріалів для оптоелектроніки Назва етапу роботи Керівник роботи Кавецький Тарас Степанович, Кандидат фізико-математичних наук Дата реєстрації 23-12-2009 Організація виконавець Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка Опис етапу Проведено історичний огляд по проблемі наноструктурної характеризації напівпровідникових склоподібних матеріалів. Відображено еволюцію атомного та атомно-дефіцитного нанорівнів в напівпровідникових склоподібних матеріалах. Розроблено методологію наноструктурної характеризації напівпровідникових склоподібних матеріалів дифракційними методами (техніки традиційної рентгенівської дифракції в області першого різкого дифракційного піку, високоенергетичної синхротронної рентгенівської дифракції та спектроскопії тонкої структури рентгенівського поглинання). Здійснено радіаційну обробку зразків склоподібних напівпровідників -квантами Co60 в умовах стаціонарного радіаційного поля з поглинутою дозою більше ніж 1 МГр. Проведено дослідження напівпровідникових склоподібних матеріалів оптоелектроніки дифракційними методами (технікою традиційної рентгенівської дифракції в області першого різкого дифракційного піку, високоенергетичної синхротронної рентгенівської дифракції та спектроскопії тонкої структури рентгенівського поглинання) за розробленою методологією. Відображено еволюцію нанопустот в напівпровідникових склоподібних матеріалах за параметрами позитронної анігіляції (або спектроскопії часу життя позитронів). Розроблено методологію наноструктурної характеризації напівпровідникових склоподібних матеріалів методом позитронної анігіляції. Проведено дослідження напівпровідникових склоподібних матеріалів оптоелектроніки методом позитронної анігіляції за розробленою методологією. Встановлено, що за розробленою методологією наноструктурної характеризації напівпровідникових склоподібних матеріалів методом позитронної анігіляції можна вивчати топологію нанопустот в матриці скла та оцінити їх зміну, викликану радіаційною обробкою матеріалу. Знайдено добру кореляцію між об'ємами нанопустот, розрахованими за даними часу життя позитронів (компонента 2) та параметрами першого різкого дифракційного піку (положення Q1) для досліджуваних стекол. Розроблено методологію наноструктурної характеризації напівпровідникових склоподібних матеріалів оптоелектроніки методом комбінаційного розсіювання світла. Проведено дослідження напівпровідникових склоподібних матеріалів оптоелектроніки методом комбінаційного розсіювання світла за розробленою методологією. Встановлено параметри так званого "бозонного піку" (низькочастотних коливних збуджень в спектрах комбінаційного розсіювання світла) для досліджуваних матеріалів та проаналізовано їх композиційні особливості. Встановлено, що за розробленою методологією наноструктурної характеризації напівпровідникових склоподібних матеріалів оптоелектроніки методом комбінаційного розсіювання світла можна вивчати особливості середнього атомного упорядкування в матриці скла та оцінити чутливість склоподібної матриці до впливу зовнішніх чинників, зокрема високо-енергетичного іонізуючого гама-опромінення. На основі експериментальних даних отриманих дифракційними методами, методом позитронної анігіляції та методом комбінаційного розсіювання світла, розроблено методологію наноструктурної характеризації напівпровідникових склоподібних матеріалів оптоелектроніки комплексом структурних методик. Опис продукції Розробка принципово нового комплексного підходу до наноструктурної характеризації напівпровідникових склоподібних матеріалів оптоелектроніки для більш глибокого розуміння природи їх експлуатаційних властивостей та цілеспрямованого відбору найкращих композицій для подальшого прикладного застосування. Автори роботи Вільків Оксана Володимирівна Зайцев Олександр Вадимович Кавецький Орест Степанович Кавецький Тарас Степанович Паньків Людмила Іванівна Саприкін Юрій Олександрович Федиців Галина Володимирівна Цмоць Володимир Михайлович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити