Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0209U010740, 0108U001097 , Науково-дослідна робота Назва роботи Технологічні аспекти створення "штучних" підкладок для епітаксії приладових структур на основі GaAs Назва етапу роботи Керівник роботи Шутов Станіслав Вікторович, Дата реєстрації 23-12-2009 Організація виконавець Херсонський національний технічний університет Опис етапу Розроблено основи експериментальних методик формування структурно досконалих гетероструктур із зниженою поверхневою щільністю пронизуючих дислокацій, придатних для використання в якості "штучних" підкладок для подальшого епітаксійного нарощування приладових структур оптоелектроніки на основі твердих розчинів системи А3В5. Створено математичну модель процесу рідиннофазової електроепітаксії на прикладі гетеросистем GaAsP-GаАs, GаАs-Si. Розроблено технологічну оснастку та виконано експериментальну перевірку результатів моделювання. Виконано аналіз впливу ізовалентного легування на активацію руху дислокацій невідповідності та перерозподіл дислокацій в епітаксійному шарі. Окремі результати досліджень захищено Патентами України. Опис продукції Розроблено основи експериментальних методик формування структурно досконалих гетероструктур із зниженою поверхневою щільністю пронизуючих дислокацій, придатних для використання в якості "штучних" підкладок для подальшого епітаксійного нарощування приладових структур оптоелектроніки на основі твердих розчинів системи А3В5. Створено математичну модель процесу рідиннофазової електроепітаксії на прикладі гетеросистем GaAsP-GаАs, GаАs-Si. Розроблено технологічну оснастку та виконано експериментальну перевірку результатів моделювання. Виконано аналіз впливу ізовалентного легування на активацію руху дислокацій невідповідності та перерозподіл дислокацій в епітаксійному шарі. Окремі результати досліджень захищено Патентами України. Автори роботи Баганов Євген Олександрович Бобошко Юрій Миколайович Войцеховський Сергій Олександрович Хлопенова Ірина Анатоліївна Шутов Станіслав Вікторович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Технологічні аспекти створення "штучних" підкладок для епітаксії приладових структур на основі GaAs
Керівник: Шутов Станіслав Вікторович. Технологічні аспекти створення "штучних" підкладок для епітаксії приладових структур на основі GaAs. (Етап: ). Херсонський національний технічний університет. № 0209U010740
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-15


Роздрукувати цю сторінку