Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0209U010902, 0108U007460 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення технології введення ультразвукових коливань в кремнієві пластини для формування нанорозмірних прихованих шарів SiO2, Si3N4 та p-n переходів Назва етапу роботи Керівник роботи Мартинюк Яків Васильович, Дата реєстрації 28-12-2009 Організація виконавець Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського" Опис етапу Створено технологічні процеси та експериментальний зразок пристрою ультразвукової активізації іонної імплантації кремнієвих пластин для формування нано розмірних прихованих шарів діелектриків та мілких p-n переходів, що дає змогу значно поліпшити характеристики напівпровідникових структур. Опис продукції Розроблена технологія та виготовлений експериментальний зразок пристрою введення в кремнієві пластини ультразвукових коливань дозволяє проводити технологічні процеси ультразвукової активізації іонної імплантації сучасних нанорозмірних напівпровідникових КМОН структур з мілкими p-n переходами та КНД структур з прихованими діелектричними шарами. Діаметр пластин 100 мм, товщина 0,5мм, частота УЗ коливань 9 МГц. Автори роботи Божко А.П. Верба О.А Грищенко О.М. Корабльов Г.Ф. Мартинюк О.Я. Мельник В.П. Романюк Б.М. Скороход І.О. Хоменко А.М. Юрчишин В.Я. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити