Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0209U010912, 0108U002368 , Науково-дослідна робота Назва роботи Просторове впорядкування самоорганізованих напівпровідникових нанооб?єктів, сформованих на кремнієвих підкладках. Назва етапу роботи Керівник роботи Валах Михайло Якович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 29-12-2009 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Методом мікроспектроскопії КРС з локальною роздільною здатністю менше 1 мкм проведено дослідження Ge/Si квантових точок вирощених на буферних шарах Si1-xGex різного складу. Встановлено, що збільшення концентрації германію в додатковому проміжному буферному Si1-xGex шарі приводить до збільшення розмірів і покриття поверхні острівцями. При цьому виникає їх упорядкування в площині росту і покращується кристалічна структура. Значне збільшення об'єму острівців відбувається за рахунок сильної дифузії атомів Si і Ge з проміжного шару і нижнього Si буфера і при концентрації германію в проміжному шарів 22%, значна частина його об'єму переходить в острівці. Концентрація германію в сформованих острівцях і буферному шарі мало відрізняється при зміні вмісту германію у вихідному проміжному шарі від 18% до 22%. Встановлено, що при вирощуванні острівців на проміжних Si1-xGex буферних шарах велике значення для їх результуючої структури має кінетика росту, особливістю якої є значна дифузія матеріалу з проміжних шарів в острівці, при цьому ефективність цього процесу зростає при збільшенні частки германію. Опис продукції Методом мікроспектроскопії КРС з локальною роздільною здатністю менше 1 мкм проведено дослідження Ge/Si квантових точок вирощених на буферних шарах Si1-xGex різного складу. Встановлено, що збільшення концентрації германію в додатковому проміжному буферному Si1-xGex шарі приводить до збільшення розмірів і покриття поверхні острівцями. При цьому виникає їх упорядкування в площині росту і покращується кристалічна структура. Значне збільшення об'єму острівців відбувається за рахунок сильної дифузії атомів Si і Ge з проміжного шару і нижнього Si буфера і при концентрації германію в проміжному шарів 22%, значна частина його об'єму переходить в острівці. Концентрація германію в сформованих острівцях і буферному шарі мало відрізняється при зміні вмісту германію у вихідному проміжному шарі від 18% до 22%. Встановлено, що при вирощуванні острівців на проміжних Si1-xGex буферних шарах велике значення для їх результуючої структури має кінетика росту, особливістю якої є значна дифузія матеріалу з проміжних шарів Автори роботи Литвин Петро Мар'янович Стрельчук Віктор Васильович Юхимчук Володимир Олександрович Яремко Анатолій Михайлович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити