Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0210U000295, 0107U007375 , Науково-дослідна робота Назва роботи Технологія формування і діагностика плівкових нанорозмірних структур Назва етапу роботи Керівник роботи Власенко Олександр Іванович, Дата реєстрації 01-02-2010 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Були досліджені орієнтуючі рідкі кристали, плівки окислів кремнію, індію та нікелю, отримані методом реактивного катодного розпорошення індій-кремнієвої і нікелевої мішені в плазмі тліючого розряду, та наноструктури на основі напівпровідникових сполук A2B6. Вивчалися особливості орієнтації нематичних та холестеричних рідких кристалів, встановлено природу орієнтації молекул рідких кристалів наноструктурованою поверхнею твердого тіла. З'ясований вплив анізотропії нанорельєфу поверхні підкладок, модифікованих при іонній і плазмовій обробці, на орієнтацію молекул рідких кристалів Досліджені механізми лазерно-стимульованого формування низькорозмірних структур на поверхні напівпровідників. Встановлені закономірності цих процесів в залежності від складу матеріалу, стану його системи дефектів та умов опромінення. Розроблено фізичні основи формування високоефективних світловипромінюючих пристроїв на базі напівпровідникових нанокристалічних структур А2B6 в діелектричних матрицях різного типу. Виявлено вплив діелектричних матриць на енергетичні стани і випромінювальні властивості нанокристалів А2B6. Опис продукції Основною метою проекту був розвиток фізико-технологічних основ формування плівкових напівпровідникових наносистем і розробка фізичних принципів дії приладів нового покоління. Об'єктами дослідження були орієнтуючі рідкі кристали, плівки окислів кремнію, індію та нікелю, отримані методом реактивного катодного розпорошення індій-кремнієвої і нікелевої мішені в плазмі тліючого розряду, та наноструктури на основі напівпровідникових сполук A2B6. Для досягнення поставленої мети вирішувалися такі задачі та були проведені наступні дослідження: 1.Вивчення особливостей орієнтації нематичних та холестеричних рідких кристалів, встановлення природи орієнтації молекул рідких кристалів наносткуктурованою поверхнею твердого тіла і з'ясування впливу на орієнтацію молекул рідких кристалів анізотропії нанорельєфу поверхні підкладок, модифікованих при іонній і плазмовій обробці. 2.Дослідження та встановлення механізмів лазерно-стимульованого формування впорядкованих низькорозмірних структур на поверхні напівпровідників і вст Автори роботи Іваськевич Л. М. Івоняк Ю. І. Байдулаєва А. Бойко М.І. Будзуляк С.І. Велещук В.П. Демчина Л. А. Ермаков В.М. Зелінський Р. Я. Калитчук С. М. Коломзаров Ю. В. Корбутяк Д. В. Крюченко Ю. В. Купчак І. М. Мозоль П. О. Рибалочка А. В. Сорокин В.М. Титаренко П. О. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Власенко Олександр Іванович. Технологія формування і діагностика плівкових нанорозмірних структур. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0210U000295
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-16