Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0210U000318, 0108U003666 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка високороздільних халькогенідних фоторезистів та їх застосування в фотоелектроніці Назва етапу роботи Керівник роботи Індутний Іван Захарович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 03-02-2010 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Теоретично та експериментально досліджено та оптимізовано техпроцес рідинної та твердофазної імерсійної фотолітографії на основі халькогенідних фоторезистів включаючи процеси вакуумного осадження, експонування та обробки фоторезиста. Проведено дослідження запису одновимірних та бінарних інтерференційних структур з просторовою частотою до 8000 мм-1 з використанням твердофазної імерсії, та досліджено їх оптичні і морфологічні характеристики. Показано, що дешева і високопродуктивна інтерференційна літографія з використанням халькогенідних фоторезистів дозволяє формувати субмікронні напівпровідникові рельєфні структури на підкладках значних розмірів та різноманітного використання. Розроблено рекомендації щодо застосування результатів НДР. Опис продукції Теоретично та експериментально досліджено та оптимізовано техпроцес рідинної та твердофазної імерсійної фотолітографії на основі халькогенідних фоторезистів включаючи процеси вакуумного осадження, експонування та обробки фоторезиста. Проведено дослідження запису одновимірних та бінарних інтерференційних структур з просторовою частотою до 8000 мм-1 з використанням твердофазної імерсії, та досліджено їх оптичні і морфологічні характеристики. Показано, що дешева і високопродуктивна інтерференційна літографія з використанням халькогенідних фоторезистів дозволяє формувати субмікронні напівпровідникові рельєфні структури на підкладках значних розмірів та різноманітного використання. Розроблено рекомендації щодо застосування результатів НДР. Автори роботи Минько Віктор Іванович Романенко Петро Федорович Шепелявий Петро Євгенович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Індутний Іван Захарович. Розробка високороздільних халькогенідних фоторезистів та їх застосування в фотоелектроніці. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0210U000318
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-18