Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0210U000363, 0107U000164 , Науково-дослідна робота Назва роботи Моделювання електронних поверхневих станів і прогнозування фізичних властивостей наноструктур з різною морфологією Назва етапу роботи Керівник роботи Глинчук Майа Давидівна, Дата реєстрації 05-02-2010 Організація виконавець Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М.Францевича НАН України Опис етапу Вперше встановлено, що поверхневі та розмірні ефекти у сегнетоелектричних нанострижнях та нанотрубках призводить до підсилення сегнетоелектричних властивостей, розрахованних як функції розмірів. Розроблено пакет програм, що вміщує самоузгоджений розв'язок системи рівнянь методу псевдопотенціалу, побудову законів дисперсії в об'ємі та на поверхні кристала, густини станів, розподілу густини валентного заряду. Досліджено можливість стабілізації SiC-нанотрубки за допомогою кілець BN і вуглецю. Запропоновано структурну модель двошарових SiC нанотрубок та багатогранних монокристалічних нанострижнів і нанотрубок для 2Н-, 3С-, 4Н-, 6Н- SiC Опис продукції Вперше встановлено, що поверхневі та розмірні ефекти у сегнетоелектричних нанострижнях та нанотрубках призводить до підсилення сегнетоелектричних властивостей, розрахованних як функції розмірів. Розроблено пакет програм, що вміщує самоузгоджений розв'язок системи рівнянь методу псевдопотенціалу, побудову законів дисперсії в об'ємі та на поверхні кристала, густини станів, розподілу густини валентного заряду. Досліджено можливість стабілізації SiC-нанотрубки за допомогою кілець BN і вуглецю. Запропоновано структурну модель двошарових SiC нанотрубок та багатогранних монокристалічних нанострижнів і нанотрубок для 2Н-, 3С-, 4Н-, 6Н- SiC Автори роботи Єлісєєв Є.А. Єфімова К.О. Бекеньов В.Л. Закарян Д.А. Зауличний В.Я. Зубкова С.М. Картузов В.В. Кондакова І.В. Лісенко А.О. Овсяннікова Л.І. Прядко Л.Ф. Роговой Ю.І. Роженко Н.М. Русіна Л.М. Шевченко В.І. Юрченко Л.П. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити