Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0210U000421, 0107U001240 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дифракція рентгенівських променів у реальних кристалах та багатошарових нанорозмірних системах Назва етапу роботи Керівник роботи Раранський Микола Дмитрович, Дата реєстрації 15-02-2010 Організація виконавець Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича Опис етапу 1. Розвинена динамічна теорія розсіяння Х- променів та створена модель, яка дає самоузгоджений опис процесів багатократного когерентного і дифузного розсіяння рентгенівських променів у структурно недосконалих монокристалічних шарах і багатошарових структурах, що містять хаотично розподілені мікродефекти. 2. Досліджено структурні зміни у кристалах Si, спричинених дією хімічного травлення, іонної імплантації фосфором та їх комбінованої дії. Для кількісної оцінки структурних змін, які виникають у приповерхневих шарах, використано методи дво- та трикристальної рентгенівської дифрактометрії. Запропонована модель можливої системи домінуючих структурних дефектів у модифікованих хімічним травленням та іонною імплантацією приповерхневих шарах кремнію. Модель враховує наявність відповідних розмірів і концентрацій сферичних і дископодібних кластерних утворень, дислокаційних петель і середні параметри пористості (радіус, довжину та латеральний квазіперіод пор) поверхневих шарів 3. За допомогою чисельного розв'язку рівнянь Такагі проведено моделювання Х- променевих топографічних зображень деформаційних полів дислокаційних петель, дислокаційних бар'єрів Ломера-Котрела та їх комплексів у залежності від їх просторового розташування при переході від тонкого до товстого кристалів; 4. Розглянуто найбільш імовірні моделі дислокаційних петель в монокристалі кремнію, які розташовані в площинах типу {111} та побудовано об'ємні функції локальних розорієнтацій з урахуванням анізотропії та релаксаційних процесів на поверхні. Опис продукції За допомогою розвиненої узагальненої динамічної теорії і створеної моделі, визначено хімічний склад і деформації в квантових ямах і буферних шарах з урахуванням ефектів дифузного розсіювання від дефектів в шарах і підкладці. Встановлені характеристики мікродефектів і точкових дефектів в шарах і підкладці. Розроблено модель можливої системи домінуючих структурних дефектів у модифікованих хімічним травленням та іонною імплантацією приповерхневих шарах кремнію . Проведено моделювання Х- променевих топографічних зображень деформаційних полів дислокаційних петель, дислокаційних бар'єрів Ломера - Котрела та їх комплексів Автори роботи Балазюк Віталій Назарович Борча Мар'яна Драгошівна Довганюк Володимир Васильович Заплітний Руслан Анатолійович Литвинчук Іван Васильович Новіков Сергій Миколайович Паламарек Микола Юрійович Раранський Микола Дмитрович Федорцов Дмитро Георгійович Фодчук Ігор Михайлович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити