Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0210U001265, 0107U007277 , Науково-дослідна робота Назва роботи Формування та дослідження напівпровідникових наноструктур для електронних та оптоелектронних приладів з розширеними функціональними можливостями Назва етапу роботи Керівник роботи Бєляєв Олександр Євгенович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 01-02-2010 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Розроблено технології формування наноструктур, що забезпечують розширені функціональні можливості електронних та оптоелектронних приладів нового покоління, а саме: технологію отримання збагачених кремнієм плівок SiOx методом іонно-плазмового розпилення кремнію в кисні; технологію синтезу структур з нанокластерами кремнію в матриці SiO2 з використанням нових підходів, які включають імплантацію домішок з каталітичною активністю (Al, Ti, C) та ультразвукову обробку в процесі імплантації; технологію отримання шарів пористого кремнію методом електрохімичного травлення в розчині HF:C2H5OH на підкладках різної провідності і отримані перші зразки шарів пористого кремнію для подальшого застосування в якості матриці для отримання шарів SiO2:C; модернізовано технологію одержання пористої SiC кераміки; технологію отримання багатокомпонентних нано-композитних плівок шляхом взаємного осадження в вакуумі складових. Проведено фундаментальні дослідження фізичних механізмів, що зумовлюють електронні та люмінесцентні властивості отриманих нанооб'єктів. Опис продукції Розроблено технології формування наноструктур, що забезпечують розширені функціональні можливості електронних та оптоелектронних приладів нового покоління, а саме: технологію отримання збагачених кремнієм плівок SiOx методом іонно-плазмового розпилення кремнію в кисні; технологію синтезу структур з нанокластерами кремнію в матриці SiO2 з використанням нових підходів, які включають імплантацію домішок з каталітичною активністю (Al, Ti, C) та ультразвукову обробку в процесі імплантації; технологію отримання шарів пористого кремнію методом електрохімичного травлення в розчині HF:C2H5OH на підкладках різної провідності і отримані перші зразки шарів пористого кремнію для подальшого застосування в якості матриці для отримання шарів SiO2:C; модернізовано технологію одержання пористої SiC кераміки; технологію отримання багатокомпонентних нано-композитних плівок шляхом взаємного осадження в вакуумі складових. Проведено фундаментальні дослідження фізичних механізмів, що зумовлюють електронні та люмінесцентні власт Автори роботи Євтух А.А. Індутний І.З. Горбань А.П. Дмитрук М.Л. Каганович Е.Б. Кисельов В.С. Конакова Р.В. Кочелап В.А. Кругленко І.В. Лисенко В.С. Литовченко В.Г. Романюк Б.М. Саченко А.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити