Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0210U001415, 0108U009683 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення технології виробництва карбід-кремнієвих мікрохвильових планарних діодів з бар'єром Шотткі. Назва етапу роботи Керівник роботи Болтовець Микола Силович, Дата реєстрації 11-02-2010 Організація виконавець Державне підприємство Науково-дослідний інститут "Оріон" Опис етапу В результаті виконання НДР розроблені наукові та конструкторсько-технологічні рішення для створення карбід-кремнієвих мікрохвильових планарних діодів з бар'єром Шотткі у вигляді планарних структур з жорсткими контактами.Конструкція планарних діодів з бар'єром Шотткі розрахована на можливість використання в напівпровідниковому приладобудуванні, зокрема для гібридних інтегральних схем. Застосування оригінальних вітчизняних технологій дозволить створити новий клас вітчизняної високонадійної конкурентноздатної елементної бази для електроніки і сприятиме збільшенню експортного потенціалу України в області високих технологій. Опис продукції В результаті виконання НДР розроблені наукові та конструкторсько-технологічні рішення для створення карбід-кремнієвих мікрохвильових планарних діодів з бар'єром Шотткі у вигляді планарних структур з жорсткими контактами.Конструкція планарних діодів з бар'єром Шотткі розрахована на можливість використання в напівпровідниковому приладобудуванні, зокрема для гібридних інтегральних схем. Автори роботи Басанець В.В. Болтовець М.С. К.О. Личман Кривуца В.А. Л.К. Птушкін Миколаєнко В.І. Н.А. Казюка Н.С.Урицька О.С. Слєпова Т.І. Голинна Т.В. Коростинська Т.М. Леденьова Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити