Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0210U001454, 0107U000693 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження фізичних явищ в напівпровідникових сполуках під впливом джерел короткохвильового випромінювання ультрафіолетового діапазону і його детектуванні Назва етапу роботи Керівник роботи Катрич Віктор Олександрович, Білецький Микола Миколайович, Дата реєстрації 17-02-2010 Організація виконавець Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна Опис етапу 95 стр.,44 рис., 5 таблиць, 45 літературних джерел. Об'єкт дослідження - напівпровідникові сполуки типу А2В6, фізичні явища в них при опромінюванні ультрафіолетовим випромінюванням і прилади для детектування випромінювання. Мета роботи - виявлення перспективних напівпровідникових сполук типу ZnSe, CdZnTe і ін. для детектування випромінювання від ІЧ до Ультрафіолетового діапазону, розробка і створення фотодетекторів на їх основі, вивчення енергетичних і спектральних характеристик. Метод дослідження - теоретичні, чисельні обчислення характеристик сполук А2В6 (ZnSe, CdTe, CdZnTe) і їх поведінка при дії УФ- випромінювання. Експериментальні дослідження енергетичних і спектральних характеристик фотоперетворювачів (діодів Шотки) на основі з'єднань А2В6 (ZnSe, CdTe) з різними металевими контактами. Основні результати і їх новизна: -для створення УФ детекторів на діапазон 0.24-0.38 нм перспективними є сполуки напівпровідників А2В6 (ZnSe, CdZnTe, а також SIC), які в найбільшій мірі забезпечують детектування випромінювання УФ діапазону. Основним критерієм вибору напівпровідника є ширина забороненої зони; -теоретичні розрахунки коефіцієнта збирання сгенерованних носіїв заряду показують, що для ефективного збирання носіїв необхідно використовувати матеріали з великими коефіцієнтами поглинання і дифузії, великим часом життя носіїв заряду; -відпрацьована технологія отримання діодів Шотки з контактами з Pt, Pd, Au, Ni, отримані експериментальні зразки фотодетекторів на ZnSe, виміряні вольтамперні характеристики експериментальних зразків без опромінювання і при опромінюванні ультрафіолетом; показана висока спектральна чутливість контактів з Pt в порівнянні з контактами з Ni; -экспериментальні дослідження додаткових бар'єрів в гетеростуктурах типу p ZnSe - n CdSe дозволяють говорити про можливість трансформації частотного спектру реєстрації випромінювання в іншій шляхом підбору електрофізичних параметрів матеріалу, через який виводиться сигнал детектора; Апробація результатів роботи: по матеріалах фундаментальних досліджень НДР опубліковано 7 статей в наукових журналах і зроблено 5 доповідей на міжнародних конференціях. Рекомендації по використанню результатів роботи. Отримані результати і рекомендації можуть бути використані при розробці нових фотоперетворювачів різного частотного діапазону, включаючи ультрафіолетовий, Технологія травлення і підготовки напівпровідникових пластин для напилення металевих контактів є оригінальною і дозволяє створювати фотодіоди на різні спектральні діапазони. Ключові слова: ДЖЕРЕЛА КОРОТКОХВИЛЬОВОГО УЛЬТРАФІОЛЕТОВОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ; НАПІВПРОВІДНИКОВІ ПРИЛАДИ ДЕТЕКТУВАННЯ; МЕХАНІЗМ ПРОТІКАННЯ СТРУМУ; МЕТАЛЕВИЙ КОНТАКТ; ДІОД ШОТКИ; ГЕТЕРОСТРУКТУРИ І НАПІВПРОВІДНИКИ А2В6 . Умови отримання звіту за договором. 61077, м. Харків, площа Свободи 4. Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна. Опис продукції Проведені теоретичні і експериментальні дослідження напівпровідникових з'єднань типу А2В6 для створення фоточутливих до випромінювання ультрафіолетового діапазону. Розроблена технологія для створення діодів Шоттки на основі напівпровідників А2В6 та А3В5. Автори роботи Антоненко Є.В. Бабич Є. Бердник С. Босий В. Дахов В. Лебедева Г.Ю. Павленко Д. Полянський М. Хоружна А. Шкорбатов Ю.Г. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити