Реєстраційний номер
0210U001695,
0109U006266
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Розроблення технологій виробництва гетероепітаксіальних квантоворозмірних світлодіодних структур на основі InGaN/GaN/Al2O3 методом газофазної епітаксії з металоорганічних сполук з енергетичною ефективністю більш як 60 Лм/Вт.
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Круковський Семен Іванович,
Дата реєстрації
19-03-2010
Організація виконавець
Закрите акціонерне товариство "Науково-виробничий концерн "Наука"
Опис етапу
Застосування методів зниження щільності дефектів в структурах InGaN/GaN під час епітаксійного росту, що базуються на формуванні перехідних шарів InGaN, AlGaN, а також зупинок Росту після осадження квантових точок InGaN в активній області, дозволяє більш ніж на порядок знизити концентрацію центрів безвипромінювальної рекомбінації. Застосування методів формування квантових точок заснованих на фазовому розпаді тонких шарів InGaN під час епітаксійного росту дозволило створювати масиви квантових точок з розмірами 3-5 нм і щільністю близько 1012 см-2. Застосування розроблених методів при зростанні активної області світлодіодних структур дозволило підвищити квантову ефективність випромінювання в 20 разів при робочих значеннях щільності струму в діапазоні 10-50 А/см2. За допомогою стимульованого фазового розпаду InGaN можна управляти концентрацією In в квантових точках, а, отже, локалізацією носіїв в квантових точках і варіювати середнє значення енергії активації носіїв з основного стану квантових точок в область безперервного спектру в діапазоні значень 0.1 - 0.8 еВ. Розроблена технологія нарощування високоефективних світлодіодних гетероструктур InGaN/GaN/Al2O3 з енергетичною ефективністю більш як 60 лм/Вт.
Опис продукції
Відпрацьовано технологічні режими отримання буферних шарів GaN з густиною дислокацій меншою від 107см2. Оптимізовані технологічні режими отримання активних областей світлоодіодних структур InGaN/(Al)GaN, що в сукупності забезпечило можливість розробити технологію виробництва високоефективних гетероепітаксіальних квантоворозмірних світлодіодних структур в системі InGaN/GaN/Al2O3 методом газофазної епітаксії із металоорганічних сполук з енергетичною ефективністю більш як 60 лм/Вт.
Автори роботи
Авдєєва О.В.
Айвазян В.Г.
Бойко М.П.
Ваків О.В.
Горб В.М.
Гуренко В.О.
Ковальчук О.Ф.
Круковський С.І.
Мірошніков А.М.
Новіков Є.І.
Парфенюк П.І.
Позен М.Л.
Сухов М.Є.
Ющенко Б.І.
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
