Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0210U001843, 0109U007211 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження та розробка технології виготовлення діодів Ганна 3 міліметрового діапазону з підвищеними енергетичними характеристиками, на основі фосфіду індія Назва етапу роботи Керівник роботи Кудрик Ярослав Ярославович, Дата реєстрації 20-04-2010 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Проведено порівняльний аналіз методик вимірювання контактного опору (Rс) омічних контактів напівпровідникових n-n+ структур та масивних зразків, обрана та оптимізована методика для наявного техпроцесу. На прикладі Au-TiBx-AuGe-n-InP тестових структур проведена апробація методики. Мінімальний Rс=1,2Е-6 Ом•см2, отримано в результаті ШТО при Т=500 °С протягом 40с. До і після ШТО досліджено профілі розподілу компонент в омічних контактах, визначені товщина і склад перехідного шару на межі розділу AuGe-n-InP. Опис продукції Автори роботи Конакова Раїса Василівна Кудрик Ярослав Ярославович Шеремет Володимир Миколайович Шинкаренко Володимир Вікторович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити