Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0210U003403, 0107U007212 , Науково-дослідна робота Назва роботи Вигготовлення та дослідження напівпровідникових наноструктур для розробки термоелектричних генераторів, неохолоджуваних фотодетекторві, теплових мікровипромінювачів і фотонно-кристалічних хвилеводів. Назва етапу роботи Керівник роботи Сизов Федір Федорович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 01-02-2010 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Методом термічної дифузії виготовлені прототипи теплових діодів на основі n-Ge, PbTe та InAs і досліджені їх характеристики як перетворювачів теплової енергії в електричну. Досліджено рівень локалізації електромагнітного випромінювання фотонно-кристалічного резонатора на основі двовимірних кремнієвих структур з 10 50 періодами квадратної гратки. Методами теорії збурень, трансфер-матриць та плоских хвиль здійснено розрахунки фотонної зонної структури двовимірних двохкомпонентних систем. Із дослідження мiкророзподiлу випромiнювання з високою розподiльною здатнiстю в просторi i часi показано, що одношарова MEMS технологiя виготовлення мiкроболометрiв на базi Ge/Si може бути використана також i для виготовлення мiкроемiтерiв iнфрачервоного дiапазону спектра. Перевагою розробленої технологiї у порiвняннi з iснуючою багатошаровою є можливiсть управлiння параметрами приладу шляхом змiни концентрацiї Ge в структурi і досягнення більш високої потужності випромінювання. Для застосування в теплочутливих елементах сформовані дифузійно-тонкі кремнієві структури з товщиною шару макропористого кремнію 20-25 мкм, що складає 4-5 періодів структури; вперше виявлені особливі види макропор: конічні та латеральні, формування яких підвищує теплоізоляційні властивості теплочутливого елементу. Опис продукції Методом термічної дифузії виготовлені прототипи теплових діодів на основі n-Ge, PbTe та InAs і досліджені їх характеристики як перетворювачів теплової енергії в електричну. Досліджено рівень локалізації електромагнітного випромінювання фотонно-кристалічного резонатора на основі двовимірних кремнієвих структур з 10 50 періодами квадратної гратки. Методами теорії збурень, трансфер-матриць та плоских хвиль здійснено розрахунки фотонної зонної структури двовимірних двохкомпонентних систем. Із дослідження мiкророзподiлу випромiнювання з високою розподiльною здатнiстю в просторi i часi показано, що одношарова MEMS технологiя виготовлення мiкроболометрiв на базi Ge/Si може бути використана також i для виготовлення мiкроемiтерiв iнфрачервоного дiапазону спектра. Для застосування в теплочутливих елементах сформовані дифузійно-тонкі кремнієві структури з товщиною шару макропористого кремнію 20-25 мкм, що складає 4-5 періодів структури; вперше виявлені особливі види макропор: конічні та латеральні, формування яких Автори роботи Іванов В.І. Глушко Є.Я. Гуменюк-Сичевска Ж.В. Добровольський В.Н. Каверцев В.Л.. Карачевцева Л. А., Конін К.П. Ліннік Л.Ф. Литвиненко О.О. Лозовський В.З. Малютенко В.К. Малютенко О.Ю. Онищенко В.Ф. Паршин К.А. Савкіна Р.К. Саченко А.В. Сизов Ф.Ф. Смірнов О.Б. Стронська О. Й. Тетьоркін В.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити