Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0210U003538, 0108U004142 , Науково-дослідна робота Назва роботи Електронні стани і механізми розсіювання у двомірних напівпровідникових структурах Назва етапу роботи Керівник роботи Стахіра Йосип Михайлович, Котерлин Михайло Дмитрович, Дата реєстрації 09-02-2010 Організація виконавець Львівський національний університет імені Івана Франка Опис етапу Досліджено механізми формування спектрів п'єзофотопровідності. Встановлено можливості їх використання для дослідження зонних спектрів шаруватих та складних кристалів. Трансформації електронної структури квазідвомірних систем залежно від ступеня двомірності та структурних змін, зумовлених інтеркаляцією можуть лежати в основі створення фізичних основ роботи квантових комп'ютерів. Досліджено вплив структурного розупорядкування на кінетику фотопровідності і діелектричної поляризації у шаруватих кристалах GaSe. Показано, що вплив спінових та зарядових флуктуацій при гібридизації локальних d(f) - станів з зонними на транспортні, магнітні та теплофізичні характеристики можна кількісно описати в моделі вузьких зон з сильно перенормованими параметрами, які виявляють температурну залежність. В рамках такого підходу проаналізовано механізм формування енергетичних щілин (та квазіщілин) кореляційної природи, що виникають у зоні провідності сполук типу RMnXm (R- Ce, Yb; M- перехідні d- елементи; X- p-елементи ІІІ - V груп) з валентно нестабільними d (f) - елементами. Опис продукції Встановлено механізми формування спектрів п’єзофотопровідності та можливості їх використання для дослідження зонних спектрів шаруватих та складних кристалів, трансформації електронної структури квазідвомірних систем залежно від ступеня двомірності та структурних змін, зумовлених інтеркаляцією та можливості створення фізичних основ роботи квантових комп’ютерів на їх основі. Показано, що вплив спінових та зарядових флуктуацій при гібридизації локальних d(f) – станів з зонними на транспортні, магнітні та теплофізичні характеристики можна кількісно описати в моделі вузьких зон з сильно перенормованими параметрами, які виявляють температурну залежність. В рамках такого підходу проаналізовано механізм формування енергетичних щілин (та квазіщілин) кореляційної природи, що виникають у зоні провідності сполук типу RMnXm (R- Ce, Yb; M- перехідні d- елементи; X- p-елементи ІІІ - V груп) з валентно нестабільними f (d) – елементами. Автори роботи Бужук Я.М. Котерлин М.Д. Стахіра Й.М. Флюнт О.Є. Ясницький Р.Й. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити