Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0210U003540, 0109U002081 , Науково-дослідна робота Назва роботи Ефект малих доз радіації в напівпровідникових матеріалах та стабілізація параметрів кремнієвих сенсорів температури Назва етапу роботи Керівник роботи Павлик Богдан Васильович, Дата реєстрації 09-02-2010 Організація виконавець Львівський національний університет імені Івана Франка Опис етапу Розроблено технологію формування поверхнево-бар'єрних структур Bi-Si(p)-Al із заданими параметрами. Показано, що дія малих доз радіації (D<260 Гр) призводить до генерації центрів захоплення, а також до часткової компенсації області просторового заряду. Встановлено, що густина поверхневих станів, які є центрами рекомбінації, на межі поділу Bi-Si під дією досліджених доз опромінення не змінюється. Експериментально встановлено, що рентгенівське опромінювання (D<390 Гр) кристалів Si(p) супроводжується перебудовою структурних дефектів і, як наслідок, спостерігається зменшення твердості кристалів. Показано, що на початковій стадії опромінення (D<130 Гр) кремнієвих термосенсорів спостерігається стабілізація їх характеристик. Запропоновано фізична модель процесів взаємодії структурних і радіаційних дефектів в бар'єрних структурах на базі Sі. Опис продукції В процесі виготовлення електронних пристроїв поверхня кристалів кремнію піддається різним видам обробки (різка, шліфування, полірування, травлення, осаджування іншими матеріалами і т.н.) При цьому на поверхні і вприповерхневому шарі генеруються структурні дефекти, які можуть в часі зазнавати відповідної перебудови, що у свою чергу , приводить до змін та деградації характеристик пристроїв. З метою покращення вихідних характеристик поверхнево-бар'єрних структур (ПБС) із заданими параметрами запропоновано оригінальну методику формування ПБС. Автори роботи Грипа Андрій Сергійович Дідик Роман Іванович Лис Роман Мирославович Павлик Богдан Васильович Слободзян Дмитро Петрович Шикоряк Йосип Андрійович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити