Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0210U004032, 0107U001183 , Науково-дослідна робота Назва роботи Концепція мінімальних комплексів зон та просторовий розподіл електронної густини в кристалах з фазовими переходами. Назва етапу роботи Керівник роботи Берча Дарія Михайлівна, Дата реєстрації 04-02-2010 Організація виконавець Державний вищий навчальний заклад "Ужгородський національний університет" Опис етапу Запропоновано новий, оснований на концепції мінімальних комплексів зон, підхід у формуванні кристалічної структури після фазових перетворень в напівпровідниках -сегнетоелектриках. Проаналізована можливість одержання загальної інформації про структурні перетворення (зокрема, збільшення кратності періодів ґратки при фазових переходах) і зв'язані з ними еволюції симетрії і топології зонної структури та просторового розподілу електронної густини в кристалах з різним механізмом фазових переходів. Досліджена роль дефектної підсистеми та її взаємозв'язок з електронною та гратковою підсистемами у кристалах групи AIVBVI. Всі результати підтверджені першопринципними розрахунками. Опис продукції Розроблена інформативна експрес-методика для одержання основних відомостей про структурні зміни і зв'язані з ними еволюції топології зонної структури, складеної з мінімальних комплексів зон, та розподілу електронної густини в напівпровідниках - сегнетоелектриках. Оснований на даній методиці підхід дозволив розв'язати питання про можливість передбачення структурних перетворень в кристалах з різним механізмом фазових переходів, зокрема збільшення кратності періодів ґратки при фазових переходах, а також можливості передбачення змін в електронній та ґратковій підсистемах при наявності різного типу дефектів. У результаті на основі концепції мінімальних комплексів зон, яка ґрунтується на найбільш загальних, симетрійно- топологічних даних про кристал (просторова група, кількість валентних електронів, факт існування забороненої зони), що дає інформацію про просторовий розподіл електронної густини, в новому ракурсі розглянуті фазові переходи з участю електронної та дефектної підсистем. Автори роботи Глухов Костянтин Євгенович Рущанський Костянтин Золтанович Сліпухіна Іветта Вікторівна Хархаліс Любов Юріївна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити