Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0210U004476, 0108U010558 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка технології виробництва потужних комутуючих НВЧ інтегральних схем сантиметрового діапазону на підкладинках синтетичного алмазу з високою теплопровідністю Назва етапу роботи Керівник роботи М.С. Болтовець, Дата реєстрації 29-12-2010 Організація виконавець Державне підприємство Науково-дослідний інститут "Оріон" Опис етапу В результаті виконання НДР розроблені наукові та конструкторсько-технологічні рішення для створення базових технологій виробництва НВЧ інтегральних схем на алмазній підкладинці у вигляді модуляторних мікрочіпів гібридно-інтегральних схем із застосуванням кремнієвих НВЧ p-i-n діодів, призначених для використання у сантиметровому та міліметровому діапазонах. Виготовлені макетні зразки НВЧ інтегральних схем на алмазній підкладинці у вигляді мікрочіпів. Як показали дослідження зразків, досягнуті параметри значно перевищують вимоги технічного завдання. Опис продукції Технологія виробництва НВЧ інтегральних схем на алмазній підкладинці, із застосуванням надпотужних НВЧ p-i-n діодів (перемикаючих і обмежувальних), що працюють у сантиметровому та міліметровому діапазонах Автори роботи Басанець В.В. Голинна Т.І. Кривуца В.А. Личман К.О. Миколаєнко В.І. Ноєнко В.Г. О.В. Зоренко Суворова Л.М. Урицька Н.Я. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити