Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0210U005511, 0106U000999 , Науково-дослідна робота Назва роботи Електронні процеси в нановимірних структурах і приладах кремній-на-ізоляторі Назва етапу роботи Керівник роботи Лисенко В.С., Дата реєстрації 15-12-2010 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Мета роботи - вивчення захоплення заряду і струмопереносу в нановимірних МДН- структурах HfO2/Si, ZrO2/Si, Gd2O3/Si, SiO2(наноSi)/Si,у КНІ -структурах та транзисторах на їхній основі. Методи досліджень: комбінований метод аналізу вольт-ємністних залежностей та частотних залежностей провідності при низьких температурах, термоактіваційна струмова спектроскопія у широкому діапазоні температур (4 - 573К); скануюча електронна мікроскопія і електронна мікроскопія на просвіт високої здатності. Визначено спектри поверхневих станів й енергії активації пасток перехідного шару діелектриків з високою діелектричною проникністю. Вивчено роль Si нанокластеров у діелектрику при інжекції носіїв, що дало можливість запропонувати фізичний макет енергонезалежної багаторівневої комірки пам'яті. Детально проаналізовані процеси розсіювання в каналах транзисторів,у тому числі й багато затворних (FinFET). Розроблено високотемпературну модель роботи КНИ Мдп-транзистора повного збідніння, що працює при збагаченні поверхні кремнієвої плівки. Модель застосовна до температур 300°С и дозволяє моделювати прилад як у режимі постійного, так і змінного струму. Опис продукції Науково-технічний звіт за НДР: 197с., 89 рис., 8 табл., 102 джерела. Досліджувалися электрофізични характеристики HfO2/Si, ZrO2/Si, Gd2O3/Si, SiO2(наноSi) / Si структур, а також параметри КНИ транзисторів на їхній основі. Знайдено режими активних впливів (плазма, опромінення малими дозами) поліпшуючі параметри транзисторів. Розроблена модель роботи КНІ МДН транзистора повного збіднення, яка дозволяє моделювати роботу приладу до температур 300С. Запропоновано фізичний макет енергонезалежної багаторівневої комірки пам'яті на основі SiO2(наноSi) / Si структури. Автори роботи Євтух В.А. Гоменюк Ю.В. Гоменюк Ю.Ю. Назаров О.М. Охолін П.М. Руденко Т.О. Степанов В.Г. Турчаніков В.І. Тягульський І.П. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити