Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0210U005749, 0110U004740 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка фізико-технологічних основ виготовлення компонентів наноелектронних А3N-приладів для оптоелектроніки та НВЧ-техніки Назва етапу роботи Керівник роботи Бєляєв Олександр Євгенович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 05-01-2011 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Розроблено технологію нітридізації сапфіра в азотвмісткому відновлюючому середовищі. Запропонована модель процеса формування нітридних шарів (НШ) на сапфірі методом термохімічної нітридізації, яка припускає наявність кількох етапів. На першому етапі відбувається порушення стехіометрії поверхневого шару і дифузія азота вглиб сапфіра з утворенням в дифузійній області твердого розчину Al2O3-х: N зі структурою корунда. На цьому етапі, тривалість якого не перевищує кількох хвилин після початку відпалу, в області твердого розчину (товщиною значно менше ніж дифузійна довжина) відбувається зародкоутворення з наступним утворенням і ростом НШ з підвищеною концентрацією кисню на межі НШ-матриця. На наступному етапі (при подальшому відпалі) товщина НШ збільшується з більш повільною швидкістю, яка обмежується швидкістю дифузії кисню із бар'єрного шару. Опис продукції Розроблено технологію нітридізації сапфіра в азотвмісткому відновлюючому середовищі. Запропонована модель процеса формування нітридних шарів (НШ) на сапфірі методом термохімічної нітридізації, яка припускає наявність кількох етапів. На першому етапі відбувається порушення стехіометрії поверхневого шару і дифузія азота вглиб сапфіра з утворенням в дифузійній області твердого розчину Al2O3-х: N зі структурою корунда. На цьому етапі, тривалість якого не перевищує кількох хвилин після початку відпалу, в області твердого розчину (товщиною значно менше ніж дифузійна довжина) відбувається зародкоутворення з наступним утворенням і ростом НШ з підвищеною концентрацією кисню на межі НШ-матриця. На наступному етапі (при подальшому відпалі) товщина НШ збільшується з більш повільною швидкістю, яка обмежується швидкістю дифузії кисню із бар'єрного шару. Автори роботи Кладько В.П. Конакова Р.В. Кочелап В.О. Ніжанковський С.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Бєляєв Олександр Євгенович. Розробка фізико-технологічних основ виготовлення компонентів наноелектронних А3N-приладів для оптоелектроніки та НВЧ-техніки. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0210U005749
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-17