Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0210U006345, 0107U008578 , Науково-дослідна робота Назва роботи Механізм утворення та фотоелектричні властивості епітаксійних гетеросистем з локалізованими станами в квантових точках Ge Назва етапу роботи Керівник роботи Козирев Ю.М., Дата реєстрації 14-07-2010 Організація виконавець Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України Опис етапу Роботу присвячено систематичному та детальному дослідженню морфології та механізмів формування, а також структурних та фотоелектричних властивостей епітаксійних гетеросистем з квантовими точками Ge на Si. На особливу увагу заслуговує визначення впливу матриці на структурні характеристики, мольний склад та рівень пружних деформацій структур, що формуються. Методи дослідження - дифракція швидких електронів, Оже-електронна спектроскопія, вторинна іонна мас-спектрометрія, атомна силова мікроскопія, повздовжня фотопровідність, польова та фотопольова емісія електронів, фото-ерс. Опис продукції Дослідження польової та фотопольової емісії, а також повздовжньої фотопровідності та фото-ерс в системах вертикально інтегрованих квантових точок Ge на Si(100) виявили ефекти розмірного квантування в таких системах та дозволили зробити припущення щодо природи електронного транспорту в таких системах через локалізовані енергетичні рівні. Автори роботи Дмитрук Канєвський В.І. Козирев Ю.М. Рубежанська М.Ю. Скляр В.К. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити