Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0210U006739, 0106U002053 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фізико-технологічні дослідження напівпровідникових матеріалів та низьковимірних структур ІЧ мікрофотоелектроніки Назва етапу роботи Керівник роботи Сизов Федір Федорович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 30-11-2010 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу НДР присвячена фізико-технологічним дослідженням напівпровідникових матеріалів та систем інфрачервоної мікрофотоелектроніки. Головною метою проведеної роботи є комплексні експериментальні, технологічні та теоретичні дослідження у галузі інфрачервоної мікрофотоелектроніки та наноелектроніки та розробка та оптимізація методів виготовлення і дігностики активних і пасивних елементів пристроїв спостереження та отримання зображень в інфрачервоному (ІЧ) та терагерцовому (ТГц) діапазонах спектру з характеристиками, які відповідають сучасному рівню досягнень провідних міжнародних колективів у цьому напрямі і які близькі до теоретичної межі. Результати досліджень будуть використані для розробки та виготовлення нового покоління багатоелементних охолоджуваних інфрачервоних фотоприймачів зі схемами зчитування інформації, що розташовані в фокальній площині в холодній зоні, які забезпечують конверсію заряду в напругу, а також неохолоджуваних фотоприймачів на основі макропористого кремнію, які можна використовувати для регістрації інформаціонномістких теплових полів. Опис продукції У ході виконання проекту "Фізико - технологічні дослідження напівпровідникових матеріалів та низьковимірних структур для цілей ІЧ-мікрофотоелектроніки" виконані роботи з комплексних експериментальних, технологічних та теоретичних досліджень у галузі інфрачервоної мікрофотоелектроніки та наноелектроніки та розроблені і оптимізовані методи виготовлення і дігностики активних і пасивних елементів пристроїв спостереження та отримання зображень в інфрачервоному (ІЧ) та терагерцовому (ТГц) областях спектру з характеристиками, які відповідають сучасному рівню досягнень провідних міжнародних колективів у цьому напрямі і які близькі до теоретичної межі. Автори роботи Карачевцева Людмила Анатоліївна Сизов Федір Федорович Тетьоркін Володимир Володимирович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Сизов Федір Федорович. Фізико-технологічні дослідження напівпровідникових матеріалів та низьковимірних структур ІЧ мікрофотоелектроніки. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0210U006739
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-20