Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0210U006952, 0110U006103 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення плазмової технології осадження наноструктурованих шарів нітридів алюмінію та бору для захисту поверхні НВЧ приладів Назва етапу роботи Керівник роботи Заяць Микола Сергійович, Дата реєстрації 12-01-2011 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу За першим етапом проекту було розроблено та виготовлено технологічне устаткування для низькотемпературного плазмово-хімічного осадження наноструктурованих шарів BN та AlN методами магнетронного розпилення та плазмохімічного осадження. Автоматизовано експериментальні установки та адаптовано їх до технологічних особливостей низькотемпературного плазмово-хімічного осадження наноструктурованих шарів BN та AlN. Розроблено технологічний маршрут виготовлення кремнієвих активних НВЧ елементів зі включенням технологічного процесу формування наноструктурованих шарів нітриду алюмінію та нітриду бора завтовшки до 1,0 мкм. Опис продукції оригінальна технологія отримання наноструктурованих шарів AlN та BN і шаруватих структур на їх основі з параметрами, які є не гіршими або перевищують парметри відомих з літератури аналогів, про які відомо з літератури. Автори роботи А. В. Макаров А. М. Лук'янов В.Б. Лозінський В.Г. Бойко Л.В. Авксєнт'єва М.І. Клюй М.С. Заяць С.М. Заяць Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити