Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0210U007148, 0106U012640 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження адсорбції, десорбції, поверхневої міграції і дифузії частинок адсорбатів на впорядкованих і дефектних поверхнях кремнію і германію. Назва етапу роботи Керівник роботи Яновський Олександр Сергійович, Дата реєстрації 16-09-2010 Організація виконавець Запорізький національний університет Опис етапу Об'єкт дослідження - поверхні Si(100) і Ge(100), процеси формування наношарів окислу на поверхні Si(100), процеси адсорбції та десорбції атомів фосфору на поверхні SiO2/Si(100), процеси адсорбції та впровадження атомів бору на поверхні SiO2/Si(100), процеси адсорбції водню на поверхні Ge(100) з різним ступенем покриття воднем. Мета роботи - моделювання поверхонь Si(100), Ge(100), SiO2/Si(100) за допомогою кластерів, вивчення процесів взаємодії атомів бору, фосфору та водню з поверхнями Si(100), Ge(100) з різним ступенем покриття воднем і киснем. Дослідження геометричної та електронної структури поверхні SiO2/Si(100) з адсорбованими атомами бору та фосфору. Для дослідження було обрано такі методи: напівемпіричні методи MNDO та РМ3 програмного пакету МОРАС, метод Хартрі-Фока (ab-initio) програмного пакету GAMESS. У роботі представлені результати квантово-хімічних розрахунків поверхонь Si(100) з шаром окислу. За результатами квантово-хімічиних розрахунків одержані моделі поверхонь SiO2/Si(100), що відповідають так званим stripe phase (кисень розташований смугами) та check phase (кисень розташований в шахматному порядку). Розглянуто процес адсорбції атомів фосфору на поверхні SiO2/Si (100), що може призводити до утворення квазірівноважних станів, які відрізняються адсорбційною активністю, енергетичними та електронними характеристиками. Розглянуто процес адсорбції атомів бору на поверхні SiO2/Si (100). Досліджені механізми адсорбції атомарного водню на поверхні Ge(100) з вакансійним дефектом, отримані значення енергій активації адсорбції, що призводить до корозійної дії атомарного водню на поверхні Ge(100)-(2?1). Опис продукції У роботі представлені результати квантово-хімічних розрахунків поверхонь Si(100) з шаром окислу. Розглянуто процес адсорбції атомів фосфору на поверхні SiO2/Si (100). Розглянуто процес адсорбції атомів бору на поверхні SiO2/Si (100). Досліджені механізми адсорбції атомарного водню на поверхні Ge(100) з вакансійним дефектом. Автори роботи Ананьїна Ольга Юріївна Мікаелян Геннадій Ромеович Яновський Олександр Сергійович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити