Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0210U007780, 0106U000928 , Науково-дослідна робота Назва роботи Нерівноважні та флуктуаційні електронні процеси в матеріалах та структурах сучасних мікро-, нано- і фото електроніки, фізико-технологічні дослідження процесів одержання нових напівпровідникових матеріалів інфрачервоної та сенсорної техніки Назва етапу роботи Керівник роботи Корсунська Надія Овсіївна, Дата реєстрації 09-12-2010 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Об'єкт дослідження - монокристали ZnO, Ge, шари Si/SiO2, пористий кремній, епітаксійні гетероструктури ZnCdSe/ZnSe, InAs/GaAs, InGaAsNSb/GaAs, колоїдні квантові точки CdSe, Si - МОН транзистори. Мета роботи - з'ясування механізмів ряду нерівноважних та флуктуаційних процесів в кристалах і низьковимірних структурах на основі сполук А2В6, А3В5 та елементарних напівпровідників. Методи дослідження - оптичні, люмінесцентні, електричні, фотоелектричні, рентгенівська дифракція, електронний парамагнітний резонанс, комбінаційне розсіювання світла, спектроскопія шуму. Встановлено механізм люмінесценції в пористому кремнії, одержаному хімічним травленням та механізм формування нанокристалів в шарах Si-SiO2 з великим надлишком кремнію. Встановлено, що домінуючими мілкими донорами в кристалах ZnO є рухливі власні дефекти - атоми міжвузловинного цинку. Теоретично описані температурні залежності інтенсивності люмінесценції в епітаксійних структурах CdSe/ZnSe з квантовими точками. Виявлено 2 механізми деградації люмінесцентних характеристик епітаксійних структур InGaAsSbN/GaAs з квантовими ямами. Розрахована зміна дифузійного бар'єру аніонних вакансій в полярних кристалах при захопленні одного або двох електронів на зв'язуючу та антизв'язуючу орбіталі. Фізично обгрунтовано та розвинуто новий метод одержання кристалів оптичного германію. Розроблено новий шумовий метод дослідження фізичних механізмів, відповідальних за вплив довжини і ширини каналу польового транзистора на величину рухливості електронів. Прогнозні припущення про розвиток об'єкту дослідження - вдосконалення технології одержання монокристалів та епітаксійних шарів, які використовуються для виготовлення різних оптоелектронних приладів. Опис продукції Автори роботи Бондаренко В.О. Борковська Л.В. Гарбар М.П. Каширіна Н.І. Корсунська Н.О. Кудіна В.І. Кушніренко В.І. Лук'янчикова Н.Б. Маркевич І.В. Осіпьонок М.М. Папуша В.П. Пекар Г.С. Сингаївський О.Ф. Смоланка О.М. Стара Т.Р. Хоменкова Л.Ю. Шульга К.П. Щербина Л.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити