Звіт по науково-дослідній роботі. Орлецький Іван Григорович. Закономірності впливу гідрогенізації на трансформацію дефектної підсистеми, електричні, оптичні та фотоелектричні властивості тонких плівок Cd(S,Se) і Cu(In,Ga)(S,Se)2.

Реєстраційний номер

0210U007852, 0109U005912 , Науково-дослідна робота

Назва роботи

Закономірності впливу гідрогенізації на трансформацію дефектної підсистеми, електричні, оптичні та фотоелектричні властивості тонких плівок Cd(S,Se) і Cu(In,Ga)(S,Se)2.

Назва етапу роботи

Керівник роботи

Орлецький Іван Григорович,

Дата реєстрації

24-12-2010

Організація виконавець

Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича

Опис етапу

Одержано і охарактеризовані електрофізичні і оптичні властивості плівок Cd(S,Se) і Cu(In,Ga)(S,Se)2. Оптимізовані режими вирощування тонких плівок Cd(S,Se) і Cu(In,Ga)(S,Se)2 методами магнетронного напилення і спрей-піролізу з властивостями, які задовольняють умовам використання у сонячних елементах. Виготовлено і вивчено електрофізичні властивості гетероструктур Cd(S,Se)/Cu(In,Ga)(S,Se)2, досліджено вплив термообробки на процеси формування гетеропереходів та визначено енергетичні параметри бар'єрних структур. Досліджено фотоелектричні властивості гетероструктур Cd(S,Se)/Cu(In,Ga)(S,Se)2 і розроблені фізичні моделі протікання процесів електронного переносу на інтерфейсах гетеропереходів.

Опис продукції

Оптимізовані режими вирощування тонких плівок Cd(S,Se) і Cu(In,Ga)(S,Se)2 методами магнетронного напилення і спрей-піролізу з властивостями, які задовольняють умовам використання у сонячних елементах. Проаналізовано вплив термообробки на процеси формування гетеропереходів Cd(S,Se)/Cu(In,Ga)(S,Se)2, досліджено фотоелектричні властивості та визначено енергетичні параметри бар'єрних структур. Розроблені фізичні моделі протікання процесів електронного переносу на інтерфейсах гетеропереходів. Гетероструктури SnO2:F/ZnO/CdS/CuInS2 є фоточутливими у видимій області випромінювання. При освітленні 80000 лк напруга холостого ходу досягає значення UХХ = 0,21 В, густина струму короткого замикання JКЗ = 160 мкА/см2, коефіцієнт заповнення ВАХ FF = 0,39. Ефективність фотоперетворювачів на основі ГС SnO2:F/ZnO/CdS/CuInS2 залежить від електроопору фронтального шару ZnO/SnO2 і товщини буферного шару CdS. За допомогою легування оксиду цинку індієм (? = 0,1 Ом?см) і використання шунтуючого шару SnO2:F (? = 1,5?10-3 Ом?см)

Автори роботи

Білічук Сергій Васильович
Макогоненко Володимир Микитович
Орлецький Іван Григорович
Фрасуняк Василь Михайлович
Чупира Сергій Миколайович
Шлемкевич Володимир Васильович

Додано/оновлено в НРАТ

2020-04-02