Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0210U007852, 0109U005912 , Науково-дослідна робота Назва роботи Закономірності впливу гідрогенізації на трансформацію дефектної підсистеми, електричні, оптичні та фотоелектричні властивості тонких плівок Cd(S,Se) і Cu(In,Ga)(S,Se)2. Назва етапу роботи Керівник роботи Орлецький Іван Григорович, Дата реєстрації 24-12-2010 Організація виконавець Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича Опис етапу Одержано і охарактеризовані електрофізичні і оптичні властивості плівок Cd(S,Se) і Cu(In,Ga)(S,Se)2. Оптимізовані режими вирощування тонких плівок Cd(S,Se) і Cu(In,Ga)(S,Se)2 методами магнетронного напилення і спрей-піролізу з властивостями, які задовольняють умовам використання у сонячних елементах. Виготовлено і вивчено електрофізичні властивості гетероструктур Cd(S,Se)/Cu(In,Ga)(S,Se)2, досліджено вплив термообробки на процеси формування гетеропереходів та визначено енергетичні параметри бар'єрних структур. Досліджено фотоелектричні властивості гетероструктур Cd(S,Se)/Cu(In,Ga)(S,Se)2 і розроблені фізичні моделі протікання процесів електронного переносу на інтерфейсах гетеропереходів. Опис продукції Оптимізовані режими вирощування тонких плівок Cd(S,Se) і Cu(In,Ga)(S,Se)2 методами магнетронного напилення і спрей-піролізу з властивостями, які задовольняють умовам використання у сонячних елементах. Проаналізовано вплив термообробки на процеси формування гетеропереходів Cd(S,Se)/Cu(In,Ga)(S,Se)2, досліджено фотоелектричні властивості та визначено енергетичні параметри бар'єрних структур. Розроблені фізичні моделі протікання процесів електронного переносу на інтерфейсах гетеропереходів. Гетероструктури SnO2:F/ZnO/CdS/CuInS2 є фоточутливими у видимій області випромінювання. При освітленні 80000 лк напруга холостого ходу досягає значення UХХ = 0,21 В, густина струму короткого замикання JКЗ = 160 мкА/см2, коефіцієнт заповнення ВАХ FF = 0,39. Ефективність фотоперетворювачів на основі ГС SnO2:F/ZnO/CdS/CuInS2 залежить від електроопору фронтального шару ZnO/SnO2 і товщини буферного шару CdS. За допомогою легування оксиду цинку індієм (? = 0,1 Ом?см) і використання шунтуючого шару SnO2:F (? = 1,5?10-3 Ом?см) Автори роботи Білічук Сергій Васильович Макогоненко Володимир Микитович Орлецький Іван Григорович Фрасуняк Василь Михайлович Чупира Сергій Миколайович Шлемкевич Володимир Васильович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити