Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0210U007874, 0109U006699 , Науково-дослідна робота Назва роботи Електрофізичні та електролюмінесцентні властивості нанорозмірних діелектричних шарів отриманих на базі рідкоземельних окислів. Назва етапу роботи Керівник роботи Тягульський Станіслав Ігорович, Дата реєстрації 24-12-2010 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Звіт по науково-дослідній роботі (договір №7, тема II-7-09, молодіжний грант) 29 сторінок, 11 мал., 18 джерел. Об'єкт дослідження - Si/SiO2 структури з імплантованим іонами Eu та Tb шарами SiO2. Мета роботи - дослідження електрофізичних процесів, що протікають у структурах при інжекції носіїв заряду, а також збудженні та гасіння електролюмінесценції. Методи дослідження - аналіз спектрів електролюмінесценції, їх збудження та гасіння, а також дослідження вольт-фарадних та вольт-амперних характеристик. Були проведені дослідження спектрів електролюмінесценції, проаналізовані особливості збудження та гасіння основних спектральних ліній при інжекції носіїв заряду у структури, а також проаналізовані вольт-амперних та вольт-фарадних характеристик структур SiO2, що були імплантовані великими дозами іонів Tb3+, Eu3+ і відпалені різними методами. Були отримані вольт-амперні характеристики структур SiO2-Si з окисом, імплантованим цими іонами в залежності від часу відпалу. Були проаналізовані механізми проходження струму, виконане порівняння експериментальних вольт-амперних характеристик з розрахунковими у координатах Фаулера-Нордгейма та отримані обрахункові значення висоти потенційного бар'єру та ефективної маси. Були виконані дослідження вольт-ємнісних характеристик структур, які були імплантовані іонами Eu та Tb та піддані термічному відпаленню при різних температурах. Проведено аналіз цих характеристик та зроблено висновки, щодо накопичення заряду у структурі та щодо його впливу на процеси електролюмінесценції. Були запропоновані моделі гасіння електролюмінесценції у структурах, що досліджувалися. Опис продукції Науково-технічний звіт за НДР: 29 c., 11 рис., 18 джерел Досліджувалися електрофізичні та електролюмінесцентні характеристики структур SiO2-Si з імплантованими іонами Tb та Eu шарами діелектрика. Проведено аналіз режимів проходження струму крізь структуру, процесів захоплення заряду у шарі діелектрику, спектрів електролюмінесценції, її збудження та згасання в залежності від режиму виготовлення структур та кількості захопленого заряду. Запропоновано моделі процесів гасіння електролюмінесценції для структур з імплантованими іонами Tb та Eu шарами діелектрика при захопленні заряду обох знаків у діелектричних шарах цих структур. Автори роботи Гоменюк Юрій Юрійович Тягульський Станіслав Ігорович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити