Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0210U007881, 0109U001303 , Науково-дослідна робота Назва роботи Створення засобів проектування та технології виготовлення інтегральних мікросхем сегнетоелектричних запам'ятовуючих пристроїв Назва етапу роботи Керівник роботи Самофалов Костянтин Григорович, Дата реєстрації 28-12-2010 Організація виконавець Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського" Опис етапу Створено лабораторну технологію плазмового осадження тонких (100-200 нм) сегнетоелектричних плівок, контактних електродів, перехідних шарів на кремнієвих пластинах з КМОН схемами для мікросхем енергонезалежної пам'яті. Застосовано двокатодну мішень, кільцеві випаровувачі та ультразвукову активацію пластин.. Розроблені математичні та комп'ютерні моделі сегнетоелектричних запам'ятовуючих елементів на основі струму перемикання для САПР. Виготовлено макет експериментального зразка ІМС сегнетоелектричної пам'яті щільністю 1 Мбіт/см2 та швидкодією зчитування/запису 30-40 нс , що дозволяє виконувати функції як оперативного, так і довготривалого енергонезалежного зберігання інформації. Опис продукції Створено лабораторну технологію плазмового осадження тонких (100-200 нм) сегнетоелектричних плівок та контактних електродів на кремнієвих пластинах з КМОН схемами для мікросхем енергонезалежної пам'яті. Застосовано двокатодну мішень, кільцеві випаровувачі та ультразвукову активацію пластин. Розроблено математичні та комп'ютерні моделі елементів пам'яті на основі струму перемикання для САПР. Виготовлено макет експериментального зразка ІМС сегнетоелектричної пам'яті. Автори роботи Верба О.А. Грищенко О.М. Зюзя О.А. Клето Г.І. Корабльов Г.Ф. Мартинюк О.Я. Мартинюк Я.В. Осадчий С.П. Скороход І.О. Хоменко А.М. Юрчишин В.Я. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити