Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0211U000046, 0109U005360 , Науково-дослідна робота Назва роботи Отримання та дослідження перспективних для використання в (опто-) електронній та ядерній техніці нових халькогенідних та іонних з’єднань Назва етапу роботи Керівник роботи Давидюк Георгій Євлампійович, Дата реєстрації 12-01-2011 Організація виконавець Волинський національний університет імені Лесі Українки Опис етапу Встановлені оптимальні режими технології одержання об'ємних монокристалів твердих розчинів CuInSe2-ZnIn2Se4; CuInS2-ZnIn2S4. На основі рентгеноструктурного аналізу показано, що сплави кристалізуються в низько симетричному структурному типі халькопіриту, встановлені параметри елементарної комірки халькогенідного твердого розчину. Досліджені електричні, оптичні, фотоелектричні, гальваномагнітні і термоелектричні властивості і їх залежність від компонентного складу розчину, що дозволяє прогнозувати одержання халькогенідних твердих розчинів з наперед прогнозованими властивостями. Досліджені електричні, оптичні, фотоелектричні і термоелектричні властивості об'ємних, низько симетричних монокристалів тетрарних сульфідів Cu2CdGeS4, Cu2CdSiS4, Cu2CdSnS4 та AgCd2GaS2. На основі встановлених особливостей запропонована не суперечлива фізична модель розподілу електронних станів в досліджуваних напівпровідникових сполуках. Знайдені технологічні методи, які дозволяють зменшити коефіцієнт поглинання світла в області вікон пропускання цих кристалів, що підвищує перспективність використання даних матеріалів в нелінійній оптиці. Досліджені одержані нами сплави системи Хмол.%AgGaGeS4 (100-Х)мол.% AgGaGe3Se8 та 70мол.%CuCd2InSe4 30мол.% Cu3Cd2InS8. Встановлені механізми електропровідності, спектральні границі вікон пропускання світла, коефіцієнти термо.-е.р.с. і спектральні розподіли фоточутливості. Показана можливість варіації параметрами сплавів змінюючи їх компонентний склад. Досліджені вперше одержані нами халькогеніди, леговані іонами Er3+ склоподібних систем Er2Se3-Ga2Se3-GeSe2. Встановлена система електронних переходів в частково заповненій 4F - оболонці іона Er3+, які відповідальні за спектральні лінії випромінювання і поглинання світла склом. Відкрита антистоксівська люмінесценція з високим квантовим виходом в ербійвмісних сульфідних стеклах Ag0,05Ga0.05Ge0.95S2-Er2S3. Останнє явище має перспективу використання в приладах призначених для візуалізації оптичних зображень і в оптоволоконних системах передачі інформації. З метою встановлення механізмів підвищення радіаційної стійкості халькогенідних тетрарних сполук і їх сплавів досліджувався вплив великих доз електронної і нейтронної радіації на параметри оптично-активних центрів більш простіших бінарних халькогенідних систем, а саме, монокристалів CdS, які є аналогом алмазоподібних тетрарних сполук. Досліджені характерні особливості утворення і взаємодії радіаційних дефектів з центрами випромінювання світла, які можуть бути використані для створення радіаційно стійких матеріалів. Опис продукції Встановлені оптимальні режими технології одержання об'ємних (2-5см3) твердих розчинів CuInSe2-ZnIn2Se4; CuInS2-ZnIn2S4, Хмол.%AgGaGeS4 (100-Х)мол.%AgGaGe3Se8, монокристалів Cu2CdGeS4, Cu2CdSiS4, Cu2CdSnS4, AgCd2GaS2, та халькогенідних стекол Ag0,05Ga0.05Ge0.95S2-Er2S3. Встановлені механізми електропровідності, значення , коефіцієнти термо.-е.р.с. і спектральні розподіли фоточутливості. Показана можливість варіації параметрами сплавів, змінюючи їх компонентний склад. Автори роботи Божко Володимир Васильович Давидюк Георгій Євлампійович Мирончук Галина Леонідівна Парасюк Олег Васильович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити