Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0211U000094, 0109U000658 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження новітніх напівпровідникових наноприладів і нанокомпонентів інтегральних схем на основі квантових одно- і двовимірних структур Назва етапу роботи Керівник роботи Тимофєєв Володимир Іванович, Дата реєстрації 14-01-2011 Організація виконавець Науково-дослідний інститут прикладної електроніки Національного технічного університету України "КПІ" Опис етапу Метою роботи є створення інформаційного забезпечення для моделювання перспективних напівпровідникових нанометрових приладів для надшвидкодіючих інтегральних схем гіга- і терагерцового діапазону та інформаційного забезпечення технологій їх виготовлення. Предметом роботи є дослідження фізичних процесів та фізико-топологічне моделювання наноструктурних електронних приладів: багатошарових гетеротранзисторних структур, включаючи гетеробіполярні транзистори, гетеротранзисторів із квантовими точками, приладів та структур з резонансним тунелюванням для розроблення і впровадження технологій їх виготовлення. В даній роботі показана можливість моделювання електричних властивостей тринітридних сполук з різними модифікаціями кристалічної решітки в сильних електричних полях та запропоновано набір вхідних даних, що забезпечує адекватність моделювання. Запропоновані у роботі математичні моделі, алгоритми і програми сприяють створенню сучасних напівпровідникових компонентів для телекомунікаційних систем і систем обробки сигналів, розвитку нанотехнологій Опис продукції Використовуючи аналітичні вирази для часів релаксації імпульсу і енергії при різних механізмах розсіяння, зроблені оцінки динамічних властивостей тринітридних сполук (InN, GaN, AlN) у сильних електричних полях. Розраховані поле-температурні залежності, функції заселеності долин і поле-швидкісні характеристики в сильному полі для нітридів з різними модифікаціями кристалічної решітки (кубічної та гексагональної). Результати розрахунків співставлені з наявними експериментальними даними і розрахунками інших авторів. Встановлено, що максимальна частота існування негативної динамічної провідності для тринітридів може становити більш як 500 ГГц. Розроблено програми моделювання електрофізичних та схемних параметрів модульовано легованих гетеротранзисторів з квантовими точками, вбудованими в канал з двовимірним електронним газом. Показано, що такі транзистори мають вищі концентрації двовимірних електронів та їх рухливість, що обумовлено як електронами гетеропереходу, так і електронами, інжектованими з квантових т Автори роботи Белявський Є.Д. Москалюк В.О. Овчарук М.Г. Семеновська О.В. Фалєєва О.М. Федяй А.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити