Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0211U000410, 0109U000579 , Науково-дослідна робота Назва роботи Вплив дефектів технологічного і радіаційного походження на фізичні властивості деяких халькогенідних напівпровідників Назва етапу роботи Керівник роботи Давидюк Георгій Євлампійович, Дата реєстрації 03-02-2011 Організація виконавець Волинський національний університет імені Лесі Українки Опис етапу Удосконалено технологію вирощування тетрарних халькогенідних монокристалічних сполук AgCd2GaS4, AgCd2GaSe4, Ag2CdSnS4 Досліджено вплив структурних дефектів на електричні, оптичні, фотоелектричні властивості одержаних монокристалів. Встановлені механізми радіаційного утворення дефектів, оцінено променеву міцність одержаних зразків. Досліджено вплив опромінення швидкими нейтронами реактора на фізичні параметри оптично активних центрів у бінарних халькогенідах CdS. Вивчені процеси радіаційно стимульованого відпалу дефектів у цих кристалах. Результати роботи можуть бути використані для створення радіаційно стійких матеріалів оптоелектроніки та нелінійної оптики Опис продукції Розроблена технологія одержання монокристалів тетрарних халькогенідів АІВІІ2СІІІDIV4 і АI2ВІІСIVDIV4 (А, В, С - Ag, Cd, Ga, Sn і DIV S, Se). Встановлено, що оптичні, електричні параметри одержаних монокристалів, стійкість до ? радіації роблять їх перспективними для використання в нелінійній оптиці та термоелектричних приладах. Виявлено покращення структурних параметрів тетрарних халькогенідів після опромінення малими дозами ? квантів. Відкрито новий механізм утворення вакансійних кластерів в халькогенідних монокристалах CdS після опромінення нейтронами Автори роботи Божко Володимир Васильович Воронюк Сергій Валерійович Касянчук Олександр Сергійович Кевшин Андрій Григорович Шаварова Ганна Петрівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити