Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0211U000605, 0108U000587 , Науково-дослідна робота Назва роботи Формування електронно-діркових переходів у напружених гетеросистемах з самоорганізованими дефектно-деформаційними кластерами Назва етапу роботи Керівник роботи Пелещак Роман Михайлович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 11-02-2011 Організація виконавець Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка Опис етапу Побудовано теорію формування n n+ переходів у тришарових гетеросистемах із самоорганізованими дефектно-деформаційними структурами. Показано, що концентраційний профіль електронів провідності залежить від середньої концентрації точкових дефектів. Досліджено роль електрон-деформаційної взаємодії при формуванні n n+ переходів у тришарових гетеросистемах із самоорганізованими дефектно-деформаційними структурами. Встановлено, що із зменшенням середньої концентрації електронів провідності у напруженій тришаровій гетероструктурі GaAs/InxGa1 xAs/GaAs з кластерами міжвузлових дефектів n n+ перехід стає більш різким, що пояснюється більшою чутливістю до деформації кристалічної ґратки при частковому заповненні зони провідності. Опис продукції У межах самоузгодженої електрон-деформаційно-дифузійної моделі встановлено закономірності формування n n+ переходів у широкозонних напівпровідниках та гетеросистемах з самоорганізованими дефектно-деформаційними (ДД) структурами. Проведено розрахунок просторового розподілу електростатичного потенціалу та концентрації електронів в широкозонних напівпровідниках та гетеросистемах з точковими дефектами. Досліджено вплив ступеня заповнення зони провідності на формування n n+ переходів у гетероструктурі GaAs/InAs/GaAs з самоорганізованими ДД структурами. Автори роботи Даньків Олеся Омелянівна Крипак Анаталій Олексійович Кузик Олег Васильович Мацько Михайло Іванович Німецький Володимир Петрович Пелещак Роман Михайлович Петрицин Оксана Євгенівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити