Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0211U000612, 0109U007445 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення нових екологічночистих та високонадійних халькогенідних склоподібних напівпровідників для оптичної телекомунікації, сенсорики та біомедичної діагностики Назва етапу роботи Керівник роботи Кавецький Тарас Степанович, Кандидат фізико-математичних наук Дата реєстрації 11-02-2011 Організація виконавець Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка Опис етапу Проведено дослідження впливу товщини зразка та дози гама-опромінення на величину радіаційно-індукованої зміни оптичного пропускання ХСН. Проведено дослідження впливу ?-опромінення на структуру та властивості ХСН систем Ge-As-S та Ge-Sb-S стехіометричних As2S3-GeS2, Sb2S3-GeS2 та нестехіометричних As2S3-Ge2S3, Sb2S3-Ge2S3 розрізів. Розроблено методику характеризації ефектів катіонного заміщення в зразках ХСН. Встановлено мікроструктурні механізми ефектів катіонного заміщення в досліджуваних зразках ХСН. Визначено параметри моделювання ефектів катіонного заміщення в зразках ХСН. Опис продукції На основі проведених досліджень по впливу товщини зразка та дози гама-опромінення на величину радіаційно-індукованої зміни оптичного пропускання халькогенідного скла на прикладі хімічного складу Ge23.5Sb11.8S64.7 та впливу гама-опромінення на структуру та властивості халькогенідних стекол систем Ge-As-S та Ge-Sb-S розроблено технічну документацію критерію отримання нових екологічночистих і високонадійних зразків халькогенідних склоподібних напівпровідників для оптичної телекомунікації, сенсорики та біомедичної діагностики. Автори роботи Дубик Оксана Михайлівна Кавецький Орест Степанович Кавецький Тарас Степанович Матлак Олена Сергіївна Павлюх Наталія Степанівна Паньків Людмила Іванівна Саприкін Юрій Олександрович Цмоць Володимир Михайлович Щупляк Андрій Несторович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити