Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0211U001026, 0110U005794 , Науково-дослідна робота Назва роботи "Розроблення методів інтерференційної нанолітографії для формування рельєфно-фазових наноструктур з використанням вакуумних фоторезистів" 1 етап -"Оптимізація процесів вакуумного нанесення халькогенідних резистів та дослідження фотостимульованих змін їх розчинності. Розробка високоефективних селективних травників". Назва етапу роботи Керівник роботи Індутний Іван Захарович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 12-01-2011 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу З використанням комп'ютерного моделювання проведена оптимізація процесу осадження халькогенідів складу As-S-Se у вакуумі із двох випаровувачів на обертову підкладинку. Оптимізовані також товщини халькогенідних фоторезистів, швидкості їх осадження та температура підкладки. Це дозволило отримати зразки пластин розміром 50*50 мм з товщиною шару резисту від 50 нм до 1 мкм і неоднорідністю по товщині не більше 1%. Дослідження оптичних властивостей халькогенідних фоторезистів показали, що з ростом вмісту Se в складі плівок резистних шарів As40S60-xSex (x=0; 20; 30; 40; 60) край поглинання монотонно зміщується в довгохвильову область спектра. Розроблено високоселективні травники негативної дії (селективність від 10 до 100) для халькогенідних фоторезистних шарів. В результаті комплексних вимірювань сенситометричних характеристик резистних шарів As40S60-xSex, де х=0; 20; 30; 40; 60, показано, що дані фоторезисти є перспективними для інтерференційної нанолітографії, формування періодичних наноструктур різноманітного призначення. Опис продукції В результаті досліджень фотостимульованих змін розчинності резистних шарів As40S60-xSex, де х=0; 20; 30; 40 розроблені двокомпонентні селективні травники негативного типу. Для бінарного складу As40S60 таким травником є розчин гідроокису аміаку (25% NH4OH ) в диметилкетоні ((CH3)2CO) при наступному співвідношенні складників, в мас.%: 25% NH4OH - 1,6 - 2,8; (CH3)2CO - решта. Для шарів потрійного халькогеніду складу As40S60-xSex, де х=20; 30; 40, найбільш оптимальними є розчини, що містять етилендіамін (CH)2(NH2)2) і диметилкетон у співвідношенні, мас.%: (CH)2(NH2)2 - 5,0 - 30,0 (CH3)2CO - решта Автори роботи Данько Віктор Андрійович Жовмір Сергій Сергійович Минько Віктор Іванович Михайловська Катерина Василівна Сопінський Микола Вікторович Шепелявий Петро Євгенович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити