Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0211U001063, 0110U006275 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення базових нанотехнологій створення активних елементів джерел НВЧ-випромінювання в терагерцовому діапазоні на основі напівпровідникових структур A3B5 з наноструктурними буферними шарами і структурованими дифузійними бар'єрами Назва етапу роботи Керівник роботи Шинкаренко Володимир Вікторович, Дата реєстрації 14-01-2011 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Проведено аналіз літератури з метою вибору контактної системи до n+ GaN. Розроблено техпроцеси формування багатошарових контактних систем типу Ti-Al-Ti-Pd-Au. Проведено математичне моделювання активних елементів з міждолинним переносом носіїв заряду типу n+ - n - n+ структури на основі GaN для діапазону частот 90-110 ГГц. Розроблена базова конструкція чіпів активних елементів на основі структур n+ - n - n+ GaN для джерел випромінювання в діапазоні частот 90-110 ГГц. Опис продукції Техпроцеси формування багатошарових контактних систем типу Ti-Al-Ti-Pd-Au. Базова конструкція чіпів активних елементів на основі структур n+ - n - n+ GaN для джерел випромінювання в діапазоні частот 90-110 ГГц. Автори роботи А.В.Саченко В.В.Шинкаренко В.М.Шеремет Кудрик Я.Я. Н.О.Колмакова Р.В.Конакова Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити