Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0211U001065, 0110U006276 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення фізико-технологічних основ нанотехнологій виготовлення високоефективних діодів Ганна терагерцового діапазону на основі фосфідіндієвих епітаксійних структур з вбудованими буферними "еластичними" нанопористими шарами Назва етапу роботи Керівник роботи Конакова Раїса Василівна, Дата реєстрації 14-01-2011 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Проведено аналіз технічної літератури з розробок технології формування контактів діодів Ганна на основі InP з метою вибору контактної системи до n-InP. Проведено дослідження багатошарової контактної системи Au-Ge-TiB2-Au. Визначено оптимальний склад компонентів контакту та оптимальний режим термообробки. Розроблено технологічну схему створення мезаструктур на основі епітаксійних структур InP типу n - n+ - n++. Опис продукції Нанотехнології виготовлення високоефективних діодів Ганна терагерцового діапазону на основі фосфідіндієвих епітаксійних структур з вбудованими буферними "еластичними" нанопористими шарами Автори роботи А.В.Саченко В.В.Мілєнін В.М.Шеремет Р.В.Конакова С.В.Новицький Я.Я.Кудрик Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Розроблення фізико-технологічних основ нанотехнологій виготовлення високоефективних діодів Ганна терагерцового діапазону на основі фосфідіндієвих епітаксійних структур з вбудованими буферними "еластичними" нанопористими шарами
Керівник: Конакова Раїса Василівна. Розроблення фізико-технологічних основ нанотехнологій виготовлення високоефективних діодів Ганна терагерцового діапазону на основі фосфідіндієвих епітаксійних структур з вбудованими буферними "еластичними" нанопористими шарами. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0211U001065
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-14


Роздрукувати цю сторінку