Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0211U001110, 0110U006101 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення технологій створення нанорозмірних германієвих cтруктур на підкладках GaAs та Si для виготовлення на їх основі електронних приладів Назва етапу роботи Керівник роботи Шварц Юрій Михайлович, Дата реєстрації 18-01-2011 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу В результаті виконання І етапу роботи встановлено основні технологічні режими нарощування нанорозмірних плівок германію: робочий вакуум в камері - не гірше (2-5)x10^-6 тор; температура випаровувача - 1400-1600^оС; швидкість осадження Ge - 0,1-100 нм/с; похибка виміру температури підкладки - +-5 ^оС. Розроблена технологія базується на використанні технологічної базі та сировинних ресурсів України. Опис продукції Основні технічні характеристики технології: робочий вакуум в камері - не гірше 2-5 10^-6 тор; температура випаровувача - 1400-1600^ оС; швидкість осадження Ge - 0,1-100 нм/с; похибка виміру температури підкладки - 5^оС. Автори роботи О. Фонкіч Шварц Юрій Михайлович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити